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電子工程網
標題:
高耐用性工業存儲芯片解決方案
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作者:
英尚微電子
時間:
2024-8-30 17:23
標題:
高耐用性工業存儲芯片解決方案
英尚提供的
xSPI串行接口通過8個時鐘頻率為200MHz的I/O信號提供每秒400兆字節的完全讀寫帶寬。提供了性能、耐用性和保持力的最高組合，現在提供4到64兆位的密度，并為4到16兆位產品提供了新的更小的封裝。新的5mmx 6mm DFN封裝比現有產品節省37%的面積。除了新的容量和更小的封裝，可以取代替代解決方案，如SRAM、BBSRAM、FRAM、NVSRAM和NOR閃存器件。
它非常適合數據持久性和完整性、低功耗、低延遲和安全性至關重要的電子系統，例如工業物聯網、網絡/企業基礎設施、過程自動化和控制、航空/航空電子、醫療、游戲和FPGA配置。
在快速增長的工業物聯網和嵌入式系統市場中，客戶比以往任何時候都更需要在任何情況下保護關鍵系統數據，尤其是在斷電的情況下，而不用擔心磨損或數據完整性問題�，F在不僅具有類似SRAM的低延遲性能和無需電源即可保持內存的能力，還具有擴展的溫度范圍以滿足不同的環境需求。通過添加4Mb容量選項，
MRAM
設備提供了更多選項來選擇最佳密度解決方案。它們繼續提供極高的耐用性，保持與其他存儲器類型的兼容性，并且易于集成到客戶的設計中。
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