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標題: 禾納  MOS電源管理IC  AET3152AP替代 TDM3307泰德芯片 [打印本頁]
    

    
作者: qq2755130042    時間: 2025-6-20 18:19
    
標題: 禾納  MOS電源管理IC  AET3152AP替代 TDM3307泰德芯片
    禾納半導體的電源管理芯片AET3152AP不含鹵素和銻，符合Rohs標準，應用在交換機切換，便攜式/臺式機中的電源管理等，可pin to pin替代TDM3307或TDM2307.
    AET3152AP 封裝為PDFN3030 ，最小包裝數為5000pcs
    AET3152AP工作溫度范圍為，-55攝氏度到+125攝氏度
     
    







 
    泰德TDM3307A是一款P溝道增強型MOSFET，以下是泰德TDM3307的主要特性：
    類型 P溝道
    漏源電壓（Vdss） 30V
    連續漏極電流（Id） 24A
    導通電阻（RDS(on)） 18mΩ@4.5V,24A
    耗散功率（Pd）2.5W
    柵極電荷量（Qg）52nC@10V
    輸入電容（Ciss@Vds）3.067nF@15V
     
    這些參數表明泰德TDM3307適用于需要高效率和低電阻的功率應用，例如負載開關或PWM應用。它的緊湊型DFN封裝也使得它適合在空間受限的應用中使用。AET3152AP可替代TDM3307或TDM2307.以下是AET3152AP的部分特性：
     








    禾納代理原裝正品,詳細資料請聯系代理提供。

    






    

    

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