基于雙脈沖實驗的Sic與IGBT特性對比研究  https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw  

碳化硅MOS管-SiC MODULE產品技術應用簡介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd
國產碳化硅MOS電壓650V-1200V-1700V-3300V，電流1A-150A

碳化硅MOS單管650V-1200V-1700V-3300V-6500V和SiC MODULE介紹。電子工程網 -  http://www.portaltwn.com/thread-821142-1-1.html

SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動以及SiC柵極驅動器示例 -  - 電子工程網  http://www.portaltwn.com/thread-838162-1-1.html

模塊 實現更高的功率密度

有AQG-324

碳化硅模塊 前途無量

實現更高的功率密度，可靠性和效率。