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    (APM永源微)AP30N15D 150V 30A N溝道增強型MOSFET、封裝TO-252-3L

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    發布時間: 2024-5-24 10:34

    正文摘要:

    概述: AP30N15D采用先進的溝槽技術,可提供出色的R-D(ON)、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓。該裝置適用于電池保護或其他開關應用。 一般特性 - V-DS=150V,I-D=30A - V-GS=10V時,R-DS(開啟)

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