2016聚焦國內3D-NAND Flash開發進度

亞光彩

【路之遙電子網訊】雖然全球半導體行業形勢嚴峻，但國內相關行業廠商任能把握機遇，找準彎道切入點，根據DRAMeXchange2016數據表明2016年整體NAND Flash產值僅年增長0.2%，達266億美元， 而其中3D-NAND Flash開發進度為聚焦重點。

3D NAND技術與現有的2D NAND(納米制程技術)截然不同，2D NAND是平面結構而3D NAND是立體結構，3D NAND結構是以垂直半導體通道的方式排列，多層環繞式柵極(GAA)結構形成多電柵級存儲器單元晶體管，可以有效的降低堆棧間的干擾。3D技術不僅使產品性能顯著提升，而且功耗可以大幅降低，在提升存儲密度的同時降低成本。

以三星的3D NAND產品為例，它比1x納米NAND Flash更加可靠，功耗更低，并且擁有隨機寫入功能。3D NAND Flash技術的出現及其帶來的市場格局變化，為我國集成電路制造企業進入主流存儲器制造領域提供了有利的契機。洪沨認為，相對于DRAM，后者對于后進者的技術和成本壁壘更高。

2016年是制程轉進以及產品結構轉換的關鍵時期。特別是15/16納米在2015年第三季成為主流制程后，后續制程微縮的空間將面臨瓶頸，再加上三星早已量產3D-NAND Flash并成功打開在SSD的市占率，刺激其他NAND Flash廠商也陸續從今年第四季開始加速3D-NAND Flash的開發。DRAMeXchange預估2016年總晶圓投片量(12寸約當)達到1670萬片，年增長12%，而因3D-NAND Flash的開發加速進行，預估2016年位元供給率將較今年大幅增長50%，為近四年來新高。

楊文得表示，今年中國半導體廠商投資NAND Flash存儲相關公司的腳步加快，以及在NAND Flash上中下游產業鏈的布局日趨完整，未來3-5年中國廠商以及中國市場將對NAND Flash產業的變化扮演關鍵地位。

受十三五規劃以及相關政策的影響，在存儲芯片領域國內今年發展迅速，三星NAND Flash產業在西安設廠就是其中之一。一直以來，中國的存儲芯片產業基本空白，幾乎100%依賴進口。三星、美光、東芝、海力士等企業壟斷的存儲器市場高達800億美元，占據全球95%以上的市場份額。而中國每年進口的存儲芯片就占55%的全球市場份額。

隨著全球存儲器產業的技術持續更新，對單顆芯片容量的密度要求越來越大。因而國內廠商因緊抓機遇，實現3D-NAND Flash開發的“彎道超車”，以填補存儲芯片領域的空白。