高集成過壓保護IC（安森美）
發布時間：2008-12-24 13:25
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安森美半導體(ON Semiconductor)推出NUS6189新器件，將過壓保護(OVP)電路的性能和功能、30V P溝道功率MOSFET、低飽和電壓(VCE(sat))晶體管和低導通阻抗(Rds(on)) 功率MOSFET集成到節省空間的一個3.0mm×4.0mm×0.9mm封裝之中。NUS6189設計用于保護敏感電子電路免受過壓瞬態和電源故障影響。這器件經過優化，應用于使用外部交流-直流(AC-DC)適配器或車載充電器，如手機、便攜式媒體播放器(PMP)和移動互聯網設備(MID)。 NUS6189將保護便攜設備通常需要的四種不同器件功能集成至單顆集成電路(IC)中，減少所需印制電路板(PCB)空間多達40%。此外，這器件的集成設計提供極低的功率耗散，大幅減少發熱量，并延長電池使用時間。NUS6189特別設計用于處理大浪涌峰值電流，與設計用于下一代便攜設備的安森美半導體電源管理IC及領先的碼分多址 (CDMA)芯片組相輔相成。這器件的過壓關閉時間短于1.0微秒(μs)，在故障發生時會極快地斷開輸電源與負載之間的連接，因此它比現有關閉較慢的解決方案能提供更優異的保護性能。 NUS6189是安森美半導體針對便攜設備四個常見主要子系統的產品陣容中重要的新成員。這器件尤其解決了互連子系統內的挑戰性要求。除了互連子系統，安森美半導體還提供手持便攜設備中的顯示及背光、電源管理和音/視頻等其它三個主要子系統的解決方案。 封裝和價格 NUS6189采用低厚度的3.0 mm×4.0 mm×0.9 mm QFN-22無鉛封裝。每1,000顆批量的預算單價為0.55美元。 |
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