<var id="fnfpo"><source id="fnfpo"></source></var>
<rp id="fnfpo"></rp>

<em id="fnfpo"><object id="fnfpo"><input id="fnfpo"></input></object></em>
<em id="fnfpo"><acronym id="fnfpo"></acronym></em>
  • <th id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></th>
  • <progress id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></progress>
  • <tbody id="fnfpo"><pre id="fnfpo"></pre></tbody>

  • x
    x

    ATA-2161高壓放大器基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測的應用

    發布時間:2025-6-6 18:30    發布者:aigtek01
    關鍵詞: 高壓放大器
      實驗名稱:基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測
      實驗內容:基于單注入模式,使用新型檢測系統獲取LED外延片的電學參數與光學參數。
      研究方向:LED外延片檢測
      測試設備:光譜儀、函數信號發生器、ATA-2161高壓放大器、顯微鏡及成像系統、示波器、電腦等。
      實驗過程:
      圖1:實驗裝置原理圖
      首先對LED外延片進行光致發光(PL)測試,通過光譜儀獲取峰值波長。然后,將測試設備按圖1所示連接完畢后,將待測LED外延片放置在ITO玻璃上,緩慢下降探針,直至LED外延片產生電致發光現象。通過光譜儀獲取峰值波長,示波器獲取電學參數。最后,使用傳統的電致發光(針測)對LED外延片進行測試。在保證光譜儀軟件顯示的相對強度在一致或接近時,獲取LED外延片的電學參數和光學參數。
      實驗結果:
      圖2:SC-EL所獲得的光學參數與針測所獲得的光學參數
      圖3:SC-EL所獲得的光學參數與針測所獲得的光學參數
      由于針測獲得的數據最具有可靠性,因此將其作為標準值來比較PL測試與單端接觸電致發光(SC-EL)測試所獲得數據的準確性。實驗結果表明,SC-EL所獲得的光學參數與針測所獲得的光學參數更加接近并且不會對LED外延片造成機械性損傷(如圖2、圖3所示)。此外,SC-EL所獲取的電學參數與針測所獲取的電學參數(反向漏電流)具有同樣的趨勢,可以反映針測所獲取數據的水平(如圖4所示)。
      圖4:針測所獲取數據的水平
      高壓放大器推薦:ATA-2161
      圖:ATA-2161高壓放大器指標參數
      本資料由Aigtek安泰電子整理發布,更多案例及產品詳情請持續關注我們。西安安泰電子Aigtek已經成為在業界擁有廣泛產品線,且具有相當規模的儀器設備供應商,樣機都支持免費試用。

    本文地址:http://www.portaltwn.com/thread-888473-1-1.html     【打印本頁】

    本站部分文章為轉載或網友發布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責;文章版權歸原作者及原出處所有,如涉及作品內容、版權和其它問題,我們將根據著作權人的要求,第一時間更正或刪除。
    您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

    廠商推薦

    • Microchip視頻專區
    • EtherCAT®和Microchip LAN925x從站控制器介紹培訓教程
    • MPLAB®模擬設計器——在線電源解決方案,加速設計
    • 讓您的模擬設計靈感,化為觸手可及的現實
    • 深度體驗Microchip自動輔助駕駛應用方案——2025巡展開啟報名!
    • 貿澤電子(Mouser)專區
    關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
    電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
    快速回復 返回頂部 返回列表
    精品一区二区三区自拍图片区_国产成人亚洲精品_亚洲Va欧美va国产综合888_久久亚洲国产精品五月天婷