英偉達選定美光科技作為SOCAMM內存首家供應商
發布時間：2025-6-17 15:12
發布者：eechina
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英偉達（NVIDIA）近日正式宣布，選定美光科技（Micron Technology）作為其下一代內存解決方案SOCAMM（Small Outline Compression Attached Memory Module）的首家量產供應商。這一決定標志著美光在數據中心內存技術領域的重大突破，其基于LPDDR5X芯片的SOCAMM模塊憑借能效比競品高出20%的核心優勢，擊敗三星電子、SK海力士等傳統巨頭，成為英偉達AI加速器平臺Rubin的關鍵組件供應商。 技術突破：能效與散熱雙優，重塑AI內存架構 SOCAMM被業界視為“第二代高帶寬存儲器（HBM）”，專為數據中心AI服務器設計，旨在優化CPU與AI工作負載的協同效率。與垂直堆疊的HBM不同，SOCAMM采用銅互連技術連接16個DRAM芯片，顯著提升散熱性能，這對高密度部署的AI服務器至關重要。 美光展示的SOCAMM模塊規格如下： 容量：128GB（基于4顆16層堆疊的16Gb DRAM芯片） 帶寬：支持8533 MT/s數據速率，是DDR5的2.5倍 能效：功耗僅為傳統內存的1/3，服務器整機能耗降低45% 可擴展性：支持熱插拔升級，模塊尺寸僅90mm×14mm，適配液冷系統 據英偉達測試，搭載SOCAMM的服務器在運行6700億參數大模型時，數據加載時間縮短40%，訓練周期可減少15天。這一性能提升源于SOCAMM與HBM3E的協同架構：Rubin平臺將配置288GB HBM3E（核心計算）與40TB SOCAMM（邊緣推理），構建“高低速內存協同體系”。 競爭格局：美光技術路線差異化制勝 英偉達曾委托三星、SK海力士與美光共同開發SOCAMM原型，但美光率先通過驗證流程。其核心優勢在于： 低功耗設計：LPDDR5X芯片能效比競品高20%，每臺AI服務器搭載4個SOCAMM模塊（總計256個DRAM芯片）時，散熱效率優勢尤為突出。 散熱管理創新：采用引線鍵合和銅互連技術，避免HBM依賴硅通孔（TSV）導致的熱堆積問題，提升系統穩定性。 量產成熟度：美光已宣布SOCAMM與HBM3E同步進入量產階段，而三星等韓企的SOCAMM芯片尚未獲英偉達認證。 行業分析師指出，美光的勝出反映了AI存儲技術從“單純堆疊”向“能效與散熱平衡”的范式轉變。隨著HBM4研發推進（美光已啟動先進制程base die設計），熱管理將成為下一代存儲芯片的核心競爭力。 市場影響：美光鞏固高端存儲領導地位 此次合作對美光意義重大： 財務層面：2025財年HBM銷售額突破10億美元，環比激增50%，SOCAMM的加入將進一步擴大其在AI數據中心市場的份額。 技術路線：美光成為全球首家同時出貨HBM3E和SOCAMM的存儲廠商，其雙軌戰略（HBM滿足GPU需求，SOCAMM支撐CPU與邊緣推理）已獲英偉達、AMD等核心客戶認可。 產能布局：美光計劃2025年投入140億美元資本支出，擴建新加坡、日本及紐約州HBM工廠，為長期訂單提供保障。 對于英偉達而言，SOCAMM的引入將加速其AI平臺迭代：Rubin平臺計劃于2026年發布，支持冷板+浸沒雙模式液冷，算力密度提升1.5倍，同等功耗下性能提升30%。此外，SOCAMM的可擴展性或使其延伸至英偉達個人超級計算機項目DIGITS，推動AI技術向邊緣場景滲透。 |
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