有沒有人對IGBT失效分析感興趣的？

keywang

有沒有人對PFC電路中的IGBT失效分析感興趣的？可以探討一下

wb61850

主題很好，頂一下。呵呵

老郭

樓主說具體點。

wb61850

說實在話，俺對“晶體管”也是情有獨鐘 ，呵呵
當然，這里的晶體管是泛指。呵呵
讀過兩本書，一本是《半導體物理基礎》，一本是《晶體管原理》，想想至今幽香猶存�？上�為了生存，畢竟要有所取舍。為了修好電飯鍋，也只能放棄一些東西，唉。
希望大家也廣蓋基礎高樓啊�！白岳�利人，自覺覺人”有何不好？呵呵

羅克韋爾

回復4樓wb61850：

是呀 基礎是發展和提高的前提呀可惜我了沒有基礎

wb61850

回復4樓wb61850：  

是呀 基礎是發展和提高的前提呀可惜我了沒有基礎
羅克韋爾 發表于 2010-6-10 08:03

哪有啊，呵呵。
其實我水平很低的了，瞎說的撒，呵呵。
大家一起努力，一起加油吧！ 呵呵。

andrewyin

IGBT失效最終的原因肯定是過流，但過流的原因有很多：
1、Vce過壓：這是最最最最最嚴重的一種故障現象，功率半導體器件最怕過壓，如果在電壓范圍內電流稍大些一般會保護（保護是通過通態下的Vce進行的），但突然直流電壓猛升，那就來不及保護，一導通就玩完；
2、直流直通：IGBT分為單個開關、雙開關以及多開關的橋等形式，在很多電路里面均是直流間有兩個IGBT開關，正常情況下是上下兩個開關是互斥的，不論什么原因導致的上下兩個開關同時導通都會引起失效;  當然了，再傻也不會故障讓它去一起開通，直通多發生在以下情況下：（1）脈沖算錯，也就是說你就是讓它直通，那就活該；（2）死區設置太短；（3）干擾，別小看這東西，一打到驅動線上多半會死；（4）驅動電源不干凈，串擾太猛或紋波太猛；
3、另外，也是又一個非常非常重要的原因：工藝，別認為搞點硅脂一摸螺絲一擰就完事，你不會摸，你也不會擰！這一般是長期效果，時間短了沒問題，時間一長尤其是溫度變化比較大（比如負荷變化較大）時問題就出來了；
4、其它：讓我再想想；

wb61850

andrewyin同學說的不錯。

keywang

說的很好，頂一個 回復7樓andrewyin：

dubu

說的很好。。。

zhuozzc

頂一個

志新

繼續挖掘.........

wtliu

這個主題很好，關鍵要有深度，更要實用。

良宵

那位想理論和實踐一起研究��？爆幾個管試試？好研究出保護措施�。�？

良宵

那位想理論和實踐一起研究��？爆幾個管試試？好研究出保護措施�。�？

hbzhangtuo

IGBT失效最終的原因肯定是過流，但過流的原因有很多：
1、Vce過壓：這是最最最最最嚴重的一種故障現象，功率半導體器件最怕過壓，如果在電壓范圍內電流稍大些一般會保護（保護是通過通態下的Vce進行的），但突然直流 ...
andrewyin 發表于 2010-6-10 13:01

說得很好！