道康寧首次推出電力電子行業碳化硅晶圓分級結構
發布時間：2014-5-12 11:20
發布者：eechina
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道康寧公司今天推出全新碳化硅（SiC）晶體分級結構，為碳化硅晶體創立了行業新標準。新分級結構對相關致命性產品缺陷，如微管位錯（MPD）、螺紋螺位錯（TSD）、和基面位錯（ BPD）等，具有更嚴格的容忍度。 這一開創性分級結構旨在優化使用道康寧高品質Prime Grade系列100 mm 碳化硅晶片設計和制造的新一代電力電子器件的設計自由度、性能和成本。道康寧公司目前向市場提供Prime Standard、Prime Select 和 Prime Ultra的三種不同品質的新型碳化硅襯底。 “作為先進碳化硅材料技術的全球領先企業，道康寧公司認識到，寬帶隙半導體技術在提供高品質產品的同時，更應著眼于賦予客戶卓越的整體價值，”道康寧公司首席技術官Gregg Zank表示。 “這種全新碳化硅晶體分級結構是道康寧公司為行業帶來的又一項首創，完全契合我們的這種理念，它也是我們與全球電力電子器件領先制造商密切合作的成果，不同的選擇有助于幫助他們以最優的成本，快速實現其不斷發展和創新的設計目標�！� 道康寧公司新產品分級結構中的各個Prime Grade系列晶圓產品為缺陷密度及其他關鍵性能設置了更嚴格的公差范圍，客戶可以根據特定器件的應用要求，在硅片質量和價格之間獲得最好的平衡。 雖然已有不少碳化硅襯底制造商承諾要降低微管密度，但道康寧公司是首家對包括TSD及BPD在內的其它致命性缺陷公差作出明確定義的企業。這些缺陷會降低器件的成品率及生產效率，且會影響大面積、新一代電力電子器件制造的成本效益。 道康寧公司全部Prime Grade系列100 mm碳化硅晶片具有一貫優良的機械特性，確保與現有的和正在開發的設備制造工藝相容。Prime Grade系列產品包括： • Prime Standard碳化硅晶片：可確保MPD≤0.5 cm-2，對于簡單碳化硅電力電子器件的設計，如肖特基或結勢壘肖特基二極管，是一種可在性能和成本之間獲得平衡的極有吸引力的選擇方案，適用于較低到中等額定電流值。 • Prime Select碳化硅晶片：公差更嚴格（MPD≤0.5 cm-2）和（BPD ≤800 cm-2），適用于要求更高的碳化硅設備，如直插式二極管或開關。 • Prime Ultra碳化硅晶片：可滿足對晶體質量要求最高的高功率器件的設計。這一等級的碳化硅襯底MPD（≤0.1 cm-2），BPD（≤500 cm-2），TSD （≤300 cm-2）極低，晶片電阻率分布范緊密，適用于當今最先進的碳化硅電力電子器件的設計，包括金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管（MOSFET）、結柵場效應晶體管（JFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、以及雙極型晶體管（BJT）或直插式二極管交換設備。此外，這一等級基材品質優異，在高電壓（3.3 kV及更高版本）和大額定電流設備中使用非常有優勢。 “對不同等級晶片品質的公差進行精確界定，加上道康寧公司極具競爭力的定價結構，反映了公司對硅基半導體市場中不同競爭需求的深刻把握，”道康寧公司化合物半導體解決方案副總裁Tang Yong Ang表示，“道康寧公司在卓越的技術、應用專業的知識和硅材料協同創新方面擁有深厚的積淀，同時又能將之應用到新一代化合物半導體技術發展之上，很少有競爭對手能做到這點。憑借這種全新晶片分級結構，我們希望為業界帶來具有高品質的碳化硅襯底，幫助世界各地的客戶在快速增長的電力電子行業展開競爭并取得成功。 有關100 mm碳化硅晶片的Prime Standard、Prime Select 和 Prime Ultra等級標準，可從道康寧公司全球各個機構獲取，供標準化生產的開發和打樣之用。 |
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