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    Peregrine 半導體公司推出40 GHz射頻SOI開關

    發布時間:2015-4-17 11:00    發布者:eechina
    關鍵詞: SOI開關 , UltraCMOS , 高頻開關
    UltraCMOS PE42524樹立了射頻 SOI開關在高頻性能方面的新標準,比起現有的GaAs解決方案,在可靠性和性能方面具有優勢

    Peregrine半導體公司推出UltraCMOS PE42524,這是行業中第一個工作頻率高達40 GHz 的射頻 SOI開關。這種開關引人注目地把Peregrine的高頻產品陣容擴大到先前以砷化鎵(GaAs)技術為主的頻率。作為GaAs以外的另一種解決方案,PE42524的可靠性高,在線性度、隔離性能、過渡過程時間和靜電放電(ESD)保護性能等方面具有優勢。由于這種開關具有這些特性,是用于測試和測量、微波回程、雷達和軍事通信設備的理想開關。

    “隨著我們把高頻產品進一步延伸到微波頻率,Peregrine證明了射頻 SOI技術的能力和優勢! Peregrine半導體高級營銷經理Kinana Hussain說!拔覀兊腢ltraCMOS技術促成了我們的高頻元件,例如PE42524,達到以前人們認為射頻SOI不可能達到的性能水平。Peregrine的產品發展路線圖包括其他高頻元件,已經并將繼續在射頻 SOI方面樹立新的標準。"

    Peregrine的高頻開關產品,其中包括13 GHz、18 GHz、26.5 GHz和現在40 GHz產品,是用Peregrine公司的UltraCMOS技術制造的。UltraCMOS技術是SOI技術在藍寶石基片上實現的專利技術。對于高頻設計,藍寶石基片具有十分重要的若干關鍵性好處。藍寶石的損耗角正切優于CMOS十倍,優于砷化鎵三倍。藍寶石是電阻率超高的基片,它的隔離度高,而且寄生電容最小。藍寶石基片根除了硅基片常見的許多耦合方面的影響,因而為射頻系統工程師帶來非凡的線性度和功率處理性能。

    特性、包裝、價格和供貨
    Peregrine的PE42524是單刀雙擲(SPDT)射頻開關裸片,它的頻率范圍寬,從10 MHz至40 GHz。它的端口與端口之間的隔離性能極好,插入損耗低,線性度優異。在30 GHz時,開關的隔離性能是47分貝,插入損失為2.2分貝,在13.5 GHz時的IIP3為50 dBm。PE42524的開關時間為225納秒,過渡過程時間很短,為840納秒,所有引腳的人體放電模型(HBM)靜電放電保護電壓高達2000伏。和砷化鎵的解決辦法不同,對于PE42524,在射頻端口,如果沒有直流電壓,不需要阻斷電容器。PE42524可以以倒裝片裸片的方式提供,它的凸塊間距為500微米,從而根除了由于邦定線長度變化而引起的性能變化。

    樣品、評估工具和量產件現在已經上市。PE42524的倒裝片裸片符合RoHS標準,訂購數量為1千片時的價格是每個40美元,訂購數量為5千片時的價格是32.44美元。

    特性UltraCMOS  PE42524
    配置單刀雙擲(SPDT)
    頻率范圍10 MHz至40 GHz
    隔離性能好·         48 dB (在  26.5 GHz時)
    ·          39 dB (在 35 GHz時)
    ·          33 dB (在 40 GHz時)
    線性度好IIP3 為50 dBm (在13.5GHz時)
    輸入的 1dB壓縮點 ·         31.5 dB (在  26.5 GHz時)
    ·          28 dB (在35 GHz時)
    插入損耗小·         1.8 dB (在  26.5 GHz時)
    ·          3.1 dB (在35 GHz時)
    靜電放電(ESD)保護額定電壓高2000V(人體放電模型,所有引腳)
    開關時間225 ns
    過渡過程時間840 ns
    封裝倒裝片裸片


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