硅芯片光通信技術取得突破，速度有望達到100Gbps

一個由歐、美兩地研究人員所組成的團隊，讓達到100Gbps的硅芯片上傳輸速度成為可能；該技術將特別有益于電信產業，并為全球不斷增加的網絡信息流量獲得緩解之道。

該研究團隊成員分別來自瑞士ETH大學、比利時研究機構IMEC、美國Lehigh大學，以及德國Karlsruhe大學；他們成功制造出一種具備高度非線性特征、超高速的光波導(opticalwaveguide)架構。

由于在這類組件中，光子信號不必再轉換成電子信號，因此被視為是達成全光學信號傳輸的關鍵組件。為了達成這個目標，研究人員采用SOH(silicon-organichybrid)方案結合標準 CMOS制程、深紫外光刻技術，以及有機中子束沉積(organicmolecularbeamdeposition)技術。

這種仍在研發中的組件，是一個僅有4mm長的微小SOH波導，但在1.55μm的電信窗 (telecommunicationswindow)中擁有105(Wkm)-1的創紀錄非線性系數 (nonlinearitycoefficient)。該芯片被研究人員視為SOH概念的例證，也是第一次可能確認該技術理論預測可達到的傳輸速度。

研究人員摻雜了速率分別為42.7Gbps的四道信號，完成一個多任務170.8Gbps信號；這是迄今所展示過、速度最快的硅光子光學信號處理。他們表示，該實驗證實了SOH波導技術應用于高頻寬電信信號全光學處理的可行性，并克服現有全光交換技術的瓶頸。

到目前為止，利用硅晶波導技術達成的數據傳輸速率，受限在40Gbps左右。而利用有機材料來填滿波導間的縫隙(slot)，則是沉積制程的主要功能。該芯片電路是由Karlsruhe大學的研究人員所設計，并在IMEC的硅光子平臺上制造。