低導通電阻TrenchFET功率 MOSFET（Vishay）
發布時間：2008-12-24 14:16
發布者：admin
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Vishay推出新型20V 和30V的p溝道TrenchFET功率 MOSFET Si7633DP和Si7135DP。器件采用SO-8 封裝，具有 ±20V柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。 現有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24毫歐，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 m毫歐（10 V 下）及 5.5 毫歐（4.5 V下）的超低導通電阻。這些值比最接近的同類 30V 器件低 27%（10V下）和 28% （4.5V 下），比最接近的同類 25V SO-8 器件分別低 28% 和 15%。30V Si7135DP 的導通電阻為 3.9 毫歐（10V下） 和 6.2毫歐（4.5V 下），比最接近的同類器件分別低13%和19.5% 。這次推出的兩款 MOSFET均采用 PowerPAK SO-8 封裝，可容許比其他 SO-8 封裝器件高 60% 的最大漏電流和高 75% 的最大功率損耗。 這兩款新型器件可用作適配器切換開關，用于筆記本電腦及工業/通用系統中的負載切換應用。適配器切換開關（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導通狀態，消耗電流。Si7633DP 和Si7135DP的低導通電阻能耗低，節省電力并延長兩次充電間的電池可用時間。 Vishay 還推出了采用 SO-8 封裝的 Si4459ADY 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。該器件具有 5 毫歐（在 10 V 時）和 7.75毫歐（在4.5 V 時）的導通電阻。此次推出的所有器件 100% 通過 Rg 和 UIS 認證，且不含鹵素。 目前，該新型Si7633DP和Si7135DP TrenchFET 功率 MOSFET可提供樣品，并已實現量產。大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。 |
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