英飛凌推出具有超低導通電阻的CoolSiC MOSFET 750 V G2，適用于汽車和工業功率電子應用
發布時間：2025-7-1 19:18
發布者：eechina
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電器（OBC）、 DC-DC轉換器、電動汽車（xEV）輔助設備等應用，以及電動汽車充電、光伏逆變器、儲能系統、通訊和開關電源（SMPS）等工業應用。
英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V G2 憑借4 mΩ和7 mΩ的超低導通電阻，MOSFET在靜態開關應用中擁有出色的表現，并成為eFuse、高壓電池關斷開關、固態斷路器和固態繼電器等應用的理想選擇。英飛凌創新的Q-DPAK頂部散熱式封裝專為提供領先的熱性能和可靠性設計， R DS(on) 值低至4 mΩ，實現行業內最佳規格。 該技術還具有領先的R DS(on) x Q OSS 和更佳的R DS(on) x Q fr，可減少硬開關和軟開關拓撲結構中的開關損耗，在硬開關應用場景中效率尤為出色。由于柵極電荷減少，該技術可實現更快的開關速度并降低柵極驅動損耗，提高了在高頻率應用中的效率。 此外，CoolSiC MOSFET 750 V G2在25°C時具有高電壓閾值（V GS(th),typ 為4.5 V）和超低Q GD/Q GS 比，進一步提高了對寄生導通（PTO）的抗擾性。該技術還支持柵極驅動能力擴展，可承受最高-7 V的靜態柵極電壓及最高-11 V的瞬態柵極電壓。這一更高的電壓耐受性為工程師提供了更大的設計余量，保證了與市場上其他產品更高的兼容性。 CoolSiC 750 V G2具有出色的開關性能、極佳的易用性和優異的可靠性，并且完全符合AEC Q101車規級部件標準和JEDEC工業級部件標準。該技術通過實現更加高效、緊湊和經濟的設計，滿足了日益增長的市場需求，展現了英飛凌在安全關鍵型汽車應用可靠性和耐用性上的投入。 供貨情況 英飛凌的CoolSiC MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/16/25/60 mΩ樣品現已開放訂購。更多信息，敬請訪問www.infineon.com/coolsic-750v。 |
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