<var id="fnfpo"><source id="fnfpo"></source></var>
<rp id="fnfpo"></rp>

<em id="fnfpo"><object id="fnfpo"><input id="fnfpo"></input></object></em>
<em id="fnfpo"><acronym id="fnfpo"></acronym></em>
  • <th id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></th>
  • <progress id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></progress>
  • <tbody id="fnfpo"><pre id="fnfpo"></pre></tbody>

  • x
    x

    超薄低導通電阻20V MicroFET MOSFET(飛兆)

    發布時間:2009-4-24 14:22    發布者:admin
    關鍵詞: MicroFET , MOSFET , 電阻

    FDMA6023PZT為便攜應用設計,據稱是具有業界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET,能夠滿足便攜設計的嚴苛要求,采用延長電池壽命的技術,實現更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝,相比傳統的MOSFET,它具有出色的熱阻,能提供超卓的功率耗散,并可減少傳導損耗。該器件采用飛兆半導體性能先進的PowerTrench MOSFET工藝技術,獲得極低的RDS(ON) 值、柵級電荷 (QG) 和米勒電荷 (QGD) — 這些都顯箸減少傳導損耗和提升開關性能。

    FDMA6023PZT 是飛兆半導體全面的 MicroFET MOSFET 產品系列的一員,在應對當今功能豐富之便攜應用的功率設計挑戰方面起著關鍵的作用,該產品系列包括20V P溝道 PowerTrench MOSFET 器件FDMA1027PT,以及帶有肖特基二極管的20V P溝道PowerTrench MOSFET器件FDFMA2P853T。與常用于低壓設計的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET器件相比,這些產品的面積減小了 55% 而高度則降低達50%。

    價格 (訂購1000個,每個):0.48美元

    供貨:現提供樣品

    交貨期:收到訂單后8至10周內

    本文地址:http://www.portaltwn.com/thread-2316-1-1.html     【打印本頁】

    本站部分文章為轉載或網友發布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責;文章版權歸原作者及原出處所有,如涉及作品內容、版權和其它問題,我們將根據著作權人的要求,第一時間更正或刪除。
    您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

    廠商推薦

    • Microchip視頻專區
    • 我們是Microchip
    • 利用模擬開發工具生態系統進行安全電路設計
    • 想要避免發生災難,就用MPLAB SiC電源仿真器!
    • 你仿真過嗎?使用免費的MPLAB Mindi模擬仿真器降低設計風險
    • 貿澤電子(Mouser)專區

    相關在線工具

    相關視頻

    關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
    電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
    快速回復 返回頂部 返回列表
    精品一区二区三区自拍图片区_国产成人亚洲精品_亚洲Va欧美va国产综合888_久久亚洲国产精品五月天婷