低導通電阻的大罐式DirectFET封裝MOSFET（IR）
發布時間：2009-8-10 23:27
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國際整流器公司推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業界最低的通態電阻 (RDS(on))，并且使動態ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。 IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術，提供極低的通態電阻（在10V Vgs時典型為0.5mΩ），同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導損耗，從而大大提高整體系統的效率。 此外，IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現了改善的安全工作區（SOA）能力。該器件采用無鉛設計，并符合RoHS標準。 IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET系列的衍生產品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關應用，并且在各自的PCB尺寸內提供業界最佳的通態電阻。 產品的基本規格： 器件編號 典型RDS(on) @10V (mΩs) 典型RDS(on) @4.5V (mΩs) VGS (V) ID @ TA=25ºC (A) 封裝面積 (mm x mm) 典型RDS(on) @10V x 面積 (mΩ x mm2) IRF6718 0.5 1.0 +/-20 61 7 x 9.1 31.9 IRF6717 0.95 1.6 +/-20 38 4.9 x 6.3 29.3 IRF6713 2.2 3.5 +/-20 22 3.8 x 4.8 40.1 上述器件的數據及應用說明已在IR的網站www.irf.com提供。 IR已開始接受量產訂單。 |
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