英飛凌推出新一代超結MOSFET，欲樹立硬開關應用基準

英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品 ― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢，可降低設計難度，適用于諸如PC、筆記本電腦、上網本或手機、照明（高壓氣體放電燈）以及LCD電視和游戲機等消費應用的電源或適配器，甚至是太陽能電源市場。

英飛凌全球開關電源高級市場經理Thomas Schmidt介紹，C6在輕載條件下具有非常好的效率，由于具有比C3更低的導通電阻、更小的輸出電容、更穩健的體二極管以及更小的反向恢復電荷，使其在成本、開關損耗、質量保證等方面更有競爭優勢。Thomas Schmidt強調，CoolMOS C6系列將成為硬開關應用的基準。另一方面，存儲在輸出電容中的極低電能和出類拔萃的硬換流耐受性，使C6器件成為諧振開關產品的理想選擇。因此，C6的面市也將使C3在未來2至3年內逐漸退市。

但由于500/600V CP系列可滿足服務器、電信電源等應用更低開關損耗和更低導通電阻的需求，因此英飛凌是希望C6未來與CP系列在不同應用領域的高壓MOSFET市場上兩頭作戰。電源廠商可受益于超結CP 系列的優勢——包括極低電容損耗和極低單位面積導通電阻等，設計出更高效、更緊湊、更輕更高散熱效率的電源產品。與此同時，開關控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對于CP系列的設計而言，CoolMOS C6簡化了PCB系統布局。具體而言，這意味著在CoolMOS C6系列內，柵極電荷、電壓/電流斜率和內部柵極電阻達到了優化和諧狀態，即使低至零歐姆的柵極電阻，也不會產生過高的電壓或電流斜率。而C6器件具備出色的體二極管硬換流抗受能力，因此可避免使用昂貴的快速體二極管組件，也可使諸如PFC（功率因數校正）級或PWM（脈寬調制）級等功率轉換產品的功效得到大幅提升。

C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS超結MOSFET，它同時擁有包括超低單位面積導通電阻在內的補償器件的優勢。據了解，超結(superjunction)技術因為在導通時可使載流子更快速流動，因此比諸如IR HEXFET等結構具有更高效率。而目前在超結功率器件領域的玩家還包括ST、飛兆和日本東芝。Thomas Schmidt自信地表示，英飛凌從1990年就已開始提供其第一代超結功率器件，因此在超結功率技術上具有領先優勢，他認為其他廠商在超結功率產品的未來研發過程中一定會重復英飛凌所遇到過的困難。

另外，業界對GaN功率市場摩拳擦掌，但《電子工程專輯》記者了解到英飛凌未在GaN功率器件上有任何動作。Thomas Schmidt對此解釋道，英飛凌其實也對GaN技術非常關注，因為IR承諾GaN功率技術能大幅度降低功率器件的成本，只可惜相關產品的面市一再拖延，因此對GaN功率技術目前還處于觀望期。