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    Reg istered SDRAM在MPC8241系統中的應用

    發布時間:2010-10-25 18:40    發布者:analog_tech
    關鍵詞: istered , MPC8241 , reg , SDRAM
    嵌入式系統中,傳統的SDRAM接口電路設計模式是系統主控芯片直接驅動所有內存芯片的地址/控制信號。當內存芯片數量較多時,這類直接驅動的設計會出現因主控芯片的地址/控制信號驅動能力不足,而導致系統內存工作不穩定的問題。Registered SDRAM是指具有地ti/控制信號鎖存電路的SDRAM模塊,特點是系統主控芯片的地址/控制信號不直接驅動內存芯片,而是通過地址/控制信號鎖存電路驅動內存芯片的地址/控制信號。Registered SDRAM模式降低了主控制芯片地址/控制信號直接驅動的邏輯門數,同時提高了系統SDRAM接口電路的負載能力。當系統的內存芯片數量較多時,Regis_tered SDRAM是一種較好的設計方法。  

    1 Reqistered SDRAM的工作原理
       
    在Registered SDRAM模式下,當主控芯片對SDRAM芯片進行訪問時,數據總線信號(DATA)要比傳統模式多延遲一個時鐘周期。以主控芯片對SDRAM芯片進行單字節寫時的操作時序為例,對兩種模式進行對比說明,其他時序的對比不再詳述。

    對比圖1、圖2的時序可知,在主控芯片對SDRAM總線發起操作(以CS、CDRAS同時為低電平的時刻為發起時間)到數據總線(DATA)的信號(DO)有效期間,傳統模式為2個時鐘周期,Registered SDRAM模式為3個時鐘周期。Registered SDRAM模式在硬件電路上采用地址/控制信號,要先經過鎖存電路的鎖存再延遲一個時鐘周期輸出的方法,消除這一時鐘周期的差異。  





      
    典型Registered SDRAM接口電路由二部分組成:地址/控制信號鎖存電路與時鐘擴展電路。地址/控制信號鎖存電路通常由2片多通道D觸發鎖存芯片構成。該電路將主控芯片SDRAM接口的控制信號(CS,DQM[O:7],SDRAS,SDCAS。CKE,WE)和地址信號(ADDR)進行鎖存,并將鎖存后輸出的信號與所有內存芯片相對應的地址/控制信號輸入端連接。鎖存時鐘由時鐘擴展電路產生。在鎖存時鐘的上升沿對地址/控制信號進行鎖存。地址/控制信號鎖存電路的另一功能,是對主控芯片與SDRAM芯片之間的連接進行電氣隔離,使主控制芯片地址/控制信號直接驅動的邏輯門數得到降低,從而提高系統SDRAM接口電路的驅動能力。

    時鐘擴展電路的功能是對主控制芯片輸出的SDRAM時鐘進行擴展,即將輸入的一路SDRAM時鐘信號,擴展為多路同頻時鐘輸出。其中一路輸出時鐘作為反饋時鐘,反饋給時鐘擴展芯片的反饋時鐘輸入端;另外兩路輸出時鐘作為地址/控制信號鎖存電路的鎖存時鐘,分別驅動2片鎖存芯片;其他輸出時鐘分別輸出給不同的SDRAM芯片。原則上,每片SDRAM芯片均有獨立的輸入時鐘。在時鐘擴展電路中,可以通過調節各時鐘的對地由容值.對各時鐘間的相關系進行調整。

    對SDRAM芯片而言,Registered SDRAM模式的操作時序與傳統模式的操作時序是等同的。這是因為在Regigtered SDRAM模式下,雖然數據信號較地址/控制信號延遲1個時鐘周期,但因地址/控制信號要先經過鎖存電路的鎖存再延遲1個時鐘周期輸出,因此數據信號與地址/控制信號能同時有效到達SDRAM芯片。這一能同時有效到達的特性與傳統模式的時序特性是相同的。  

    2 Registered SDRAM接口電路芯片簡介

    2.1 CDCF2510A
       
    CDCF2510A為TI公司生產的低skew(skew<%26;#177;125ps)、低抖動(jitte_cyc_cyc<士70 ps)的PLL時鐘驅動器。工作頻率范圍為25~140 MHz?蓪1路輸入時鐘擴展為10路同頻輸出時鐘,同時具有輸出時鐘反饋功能。該芯片主要用于SDRAM接口的時鐘擴展。芯片的內部邏輯電路如圖3所示。  


      
    圖3所示的CLK為輸入時鐘;1Y0~1Y9為10路輸出擴展時鐘;FBOUT、FBIN分別為反饋時鐘的輸出腳與輸入腳;G為擴展時鐘輸出允許控制腳,高電平有效。

    2.2 74ALVCF 162835APA
       
    74ALvcFl62835APA為多通道D鎖存器。設計采用Fairchild公司的產品。該芯片可同時鎖存18位的輸入信號。在供電電壓為3.O~3.6 V時,鎖存延遲tpd(CLK鎖存開始到數據輸出有效的時間)最大為3.7 ns。  

    3 Registered SDRAM在MPC8241嵌入式系統中的設計實現
       
    MPC8241為摩托羅拉公司生產的較高性能32位嵌入式CPU,內部主要集成了32位PCI總線接口,SDRAM接口以及可與Flash芯片或簡單邏輯接口芯片(如UART控制芯片)等連接的外圍總線。其SDRAM接口可工作于多種模式。本設計采用Registered SDRAM模式且對系統提供128 MB內存,設計的SDRAM時鐘為1OO MHz。

    對128 MB的內存,因MPC8241的SDRAM接口數據總線寬度為64位,所以采用4片16M%26;#215;16數據位的內存芯片,且芯片直接貼裝在PCB板上的方式實現。100MHz時鐘由.MPC8241產生,經時鐘擴展電路擴展之后連接到電路中的其他芯片。硬件電路簡圖如圖5所示。





      
    圖5中的內存接口電路由二部分組成:地址/控制信號鎖存電路與時鐘擴展電路。

    3.1 地址/控制信號鎖存電路
       
    該電路是將MPC824l的SDRAM接口輸出地址信號和控制信號利用2片74ALVCFl62835APA進行鎖存,并將鎖存輸出信號與所有內存芯片對應腳連接。2片鎖存芯片的設計電路如圖6、圖7所示。  





      
    在圖6和圖7中,U2與U3的右側信號與MPC8241對應信號相連接,左側的信號與4片內存芯片的地址/控制信號引腳連接。U2與U3分別利用鎖存時鐘R_CLK0和R_CLKl的上升沿對輸入信號進行鎖存。2片鎖存芯片的OE、LE腳均設計為低。  
       
    內存芯片與MPC8241之間的信號連接如表1所列。  


      
    在電路設計時,信號(RCSO、RAO~RAl2、RBA0、RBAl、RRAS、RCAS、RWE、RCKE)與所有內存芯片對應引腳連接。數據信號RDQ0~RDQ63以8位為一組分配給4片內存芯片。

    3.2時鐘擴展電路
       
    時鐘擴展電路如圖8所示。該電路將MPC8241輸出的SDRAM時鐘信號CKl通過時鐘擴展芯片(CDCVF25I0A)進行同頻時鐘擴展,即將l路SDRAM時鐘信號CKl擴展為6路時鐘輸出。其中4路輸出時鐘(PCLK0~PCLK3)分別輸出給4顆內存芯片。另外2路時鐘(R_CI,K0,R_CLKl)分別與2片鎖存芯片的鎖存時鐘輸入腳連接,作為地址/控制信號鎖存電路的鎖存時鐘;同時,輸出反饋時鐘與芯片時鐘反饋輸入端連接。


      
    4 原理設計與布局布線規則
       
    與傳統的SDRAM接口電路相比.Registered SDARM電路對線路電氣參數的設計約束相對寬松,設計時基本不用考慮主控芯片的驅動能力;但因Registered SDRAM也是較高速的接口電路,因此其電路設計也應遵循一定的規則,以保證設計電路的可靠性和穩定性。

    (1)原理設計規則
       
    ①在各芯片的時鐘輸入端設計相位調節電容,電容值可設置為10pF,可根據實測數據調整。
       
    ②在各SDRAM芯片的數據引腳,分別設計串接匹配電阻。匹配電阻值可設置為l0Ω。
       
    ③每片鎖存芯片的鎖存時鐘分別采用時鐘擴展電路的不同輸出時鐘。
       
    ④每片SDRAM芯片的輸入時鐘分別采用時鐘擴展電路的不同輸出時鐘。
       
    ⑤在時鐘擴展芯片的時鐘輸出腳設計串接匹配電阻。匹配電阻值可設置為l0Ω。
       
    ⑥鎖存芯片的輸出端設計串接匹配電阻。匹配電阻值可設置為lOΩ。

    (2)布線規則
       
    ①SDRAM數據線:MPC824l到同-SDRAM芯片的數據信號走線需要進行等長控制,長度誤差控制在士5%之內。
       
    ②SDRAM地址/控制線:鎖存芯片到同-SDRAM芯片的地址/控制信號走線需要進行等長控制,長度誤差控制在士5%之內。
       
    ③時鐘擴展電路輸出到鎖存芯片的2路鎖存時鐘,其走線需要進行等長控制,長度誤差控制在士l.27mm之內。
       
    ④時鐘擴展電路輸出到SDRAM芯片的4路時鐘,其走線需要進行等長控制,長度誤差控制在士l.27 mm之內。
       
    ⑤鎖存芯片到SDRAM芯片的地址/控制信號與時鐘擴展電路到相應SDRAM芯片的時鐘走線長度基本等長,長度誤差控制在%26;#177;5%以內。
       
    ⑥時鐘擴展電路反饋時鐘走線長度與時鐘擴展電路到SDRAM芯片的時鐘平均走線長度基本等長,長度誤差控制在士l0%以內。
       
    ⑦MPC824l與SDRAM芯片之間的數據線、地址線、控制線以及時鐘線的走線長度基本等長,長度誤差控制在%26;#177;10%以內。

    (3)布局規則
       
    ①所有相位調節電容靠近接收端放置。
       
    ②所有時鐘串接匹配電阻靠近發送端放置。
       
    ③SDRAM芯片數據引腳的串接匹配電阻靠近SDRAM芯片。
       
    ④鎖存芯片輸出端的串接匹配電阻靠近輸出端放置。

    (4)其他設計規則
       
    ①各走線須進行阻抗控制,即單端線按50Ω阻抗進行控制。
       
    ②芯片的電源腳須設汁退耦電容,容值可取O.1μF。原則上,每個電源腳均須設計一退耦電容且布局時盡可能靠近電源腳。
       
    ③完整的地層和電源層,至少應保證完整的地層。
       
    ④時鐘信號盡量走內層,以減小EMI。  

    5 設計電路的調試
       
    按照上述規則設計的硬件電路,通常只需對相位調節電容值略作調整即可實現在100 MHz的SDRAM時鐘下穩定工作。相位調節電容值的范圍一般為5"15pF。若時序參數的裕量足夠,相位調節電容也可不焊接。  

    結 語
       
    上述內容對在同類型的嵌入式系統中進行Regis-tered SDRAM電路設計有一定的參考價值。Registered內存設計方法是一種較好的大容量內存設計方法,在高性能計算機上已經得到廣泛應用,但在嵌入式系統中還不為大多數科研工作者所熟悉。這里,推薦給各位同行,期望共同探討。
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