ST推出同級領先的900V MOSFET管，提升反激式轉換器的輸出功率和能效
發布時間：2017-3-24 11:46
發布者：eechina
意法半導體最新的900V MDmesh K5超結MOSFET管讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統需求，具有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態特性。
900V擊穿電壓確保高總線電壓系統具有更高的安全系數。新系列產品含有首個RDS(ON)導通電阻低于100mΩ的900V MOSFET管，是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產品。業內最低的柵電荷(Qg)確保開關速度更快，在需要寬輸入電壓的應用領域，實現更大的配置靈活性。這些特性確保標準準諧振電路、主動鉗位設計等各種反激式轉換器具有高能效和可靠性，覆蓋低至35W高至230W的額定功率范圍。此外，低輸入輸出電容(Ciss,Coss)可實現零電壓開關，使半橋LLC諧振轉換器的電能損耗最小化。 新器件的高安全系數和優異的動態特性讓設計人員能夠提高各種產品的性能，例如服務器電源、三相開關式電源(SMPS)、LED照明電源、電動汽車(EV)充電器、太陽能板、焊接機、工業設備驅動系統和工廠自動化。 意法半導體MDmesh K5系列超結晶體管產品種類繁多，包括800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V額定電壓的產品。再加上靈活的封裝選擇，包括TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247長引腳、IPAK和I2PAK，以及D2PAK和DPAK表面功率封裝，意法半導體為設計人員提供豐富的超結超高電壓(VHV)MOSFET產品。 最新的900V MDmesh K5 MOSFET管即日上市，采用DPAK封裝的STD4N90K5。 如需了解更多詳情，請訪問www.st.com/mdmeshk5. |
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