UBM最新拆解顯示手機已開始采用PCM非易失性相變內存
發布時間：2010-12-8 09:59
發布者：李寬
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非易失性相變內存(phase-change memory，PCM)已經悄悄現身在手機產品中？根據工程顧問機構UBM TechInsights的一份拆解分析報告，發現在某款神秘手機中，有一顆由三星電子(Samsung Electronics)出品的多芯片封裝(multi-chip package，MCP)內存，內含與NOR閃存兼容的非易失性相變內存芯片。 TechInsights 拆解的手機產品，基于客戶機密不透露型號與廠牌；該機構表示，要等到與客戶之間的工作告一段落，才能公布該手機到底是哪一款。三星曾于4月時透露，該公司將在第二季出貨一款內含512Mbit非易失性相變內存芯片的MCP；當時三星并未透露該產品將采用哪種制程技術，僅表示該產品“相當于40納米NOR閃存�！� 業界認為三星將采用65納米至60納米制程生產上述內存；而拆解分析報告以顯微鏡所量測出的半間距(half-pitch)內存長度(如下圖)，是每微米(micron)8個記憶單元(cell)，就證實了以上的猜測。 
三星512Mbit相變化RAM的橫切面 現在已經被美光(Mciron)合并的恒憶(Numonyx)，在2008年發表了一款90納米制程128Mbit非易失性相變內存，并在2010年4月以Omneo系列串行/并列存取內存問世；但是到目前為止，該公司都未透露任何有關該產品的設計案或是量產計劃。此外恒憶也開發了一款45納米制程的1Gbit非易失性相變內存，但這款原本預期今年上市的產品，迄今也未有后續消息。 UBM TechInsights已經確認，三星的512Mbit相變化RAM(PRAM)芯片，商標號碼為KPS1N15EZA，與一顆128Mbit UtRAM芯片以MCP形式封裝在一起，并應用于手機產品中。該款三星的PRAM芯片由4層鋁互連層與內存元素所組成，頂部與底部的電極 (electrode contacts)是裝置在鋁金屬與硅基板之間。
內含PCM的MCP內存外觀 “最近業界對非易失性相變內存技術的微縮極限有爭議，再加上恒憶的產品延遲量產，讓人質疑PRAM是否真能接班成為新一代內存；”UBM TechInsights資深顧問Young Choi表示：“對非易失性相變內存已經應用在手機的發現，清楚表明了產品設計工程師已經開始使用這種具潛力的技術�！�
包含非易失性相變內存MCP的手機主板拆解圖 |
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