<var id="fnfpo"><source id="fnfpo"></source></var>
<rp id="fnfpo"></rp>

<em id="fnfpo"><object id="fnfpo"><input id="fnfpo"></input></object></em>
<em id="fnfpo"><acronym id="fnfpo"></acronym></em>
  • <th id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></th>
  • <progress id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></progress>
  • <tbody id="fnfpo"><pre id="fnfpo"></pre></tbody>

  • x
    x

    華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產

    發布時間:2017-12-28 10:32    發布者:eechina
    關鍵詞: 華虹 , eFlash , 嵌入式閃存
    華虹半導體有限公司第二代90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實現量產,技術實力和競爭力再度加強。

    華虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術積累的基礎上,于90nm G2 eFlash工藝平臺實現了多方面的技術提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸,較第一代減小約25%,為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式閃存技術的最小尺寸。此外,90nm G2采用了新的Flash IP設計架構,在保證高可靠性 (即10萬次擦寫及25年數據保持能力) 的同時,提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此,90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體芯片面積,從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數量,尤其對于具有高容量eFlash的芯片產品,90nm G2 eFlash的面積優勢更為顯著。值得一提的是,90nm G2 eFlash在第一代的基礎上又縮減了一層光罩,使得制造成本更低。

    目前,90nm G2 eFlash已實現了高良率的穩定量產,成功用于大規模生產電信卡芯片,并將為智能卡芯片、安全芯片產品以及MCU等多元化產品提供更具性價比的芯片制造技術解決方案。

    華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:“第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產,標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術上的又一次成功。嵌入式非易失性存儲器技術是我們的戰略重點之一,長期以來憑借著高安全性、高穩定性、高性價比以及技術先進性在業界廣受認可。作為全球領先的智能卡IC代工廠,華虹半導體將堅持深耕,不斷優化工藝,升級平臺,持續領航智能IC卡代工領域,并大力發力物聯網、新能源汽車等高增長新興市場!
    本文地址:http://www.portaltwn.com/thread-521407-1-1.html     【打印本頁】

    本站部分文章為轉載或網友發布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責;文章版權歸原作者及原出處所有,如涉及作品內容、版權和其它問題,我們將根據著作權人的要求,第一時間更正或刪除。
    您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

    廠商推薦

    • Microchip視頻專區
    • EtherCAT®和Microchip LAN925x從站控制器介紹培訓教程
    • MPLAB®模擬設計器——在線電源解決方案,加速設計
    • 讓您的模擬設計靈感,化為觸手可及的現實
    • 深度體驗Microchip自動輔助駕駛應用方案——2025巡展開啟報名!
    • 貿澤電子(Mouser)專區

    相關視頻

    關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
    電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
    快速回復 返回頂部 返回列表
    精品一区二区三区自拍图片区_国产成人亚洲精品_亚洲Va欧美va国产综合888_久久亚洲国产精品五月天婷