常見LED芯片的特點分析

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常見LED芯片的特點分析:

一、MB 芯片

　　定義：Metal BONding (金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產品。

　　特點：

　　1：采用高散熱系數的材料---Si 作為襯底、散熱容易。

　　2：通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收。

　　3: 導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4 倍)，更適應于高驅動電流領域。

　　4: 底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱

　　5: 尺寸可加大、應用于High power 領域、eg : 42mil MB

二、GB芯片

　　定義：Glue Bonding (粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產品

　　特點：

　　1：透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統AS (Absorbable STructure)芯片的2倍以上、藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。

　　2：芯片四面發光、具有出色的Pattern

　　3：亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(8.6mil)

　　4：雙電極結構、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片

三、TS芯片

　　定義：transparent structure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP 的專利產品。

　　特點：

　　1：芯片工藝制作復雜、遠高于AS LED

　　2：信賴性卓越

　　3：透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高

　　4：應用廣泛

四、AS芯片

　　定義：Absorbable structure (吸收襯底)芯片;

　　經過近四十年的發展努力、臺灣LED光電業界對于該類型芯片的研發﹑生產﹑銷售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水準、差距不大。

　　大陸芯片制造業起步較晚、其亮度及可靠度與臺灣業界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

　　特點：

　　1：四元芯片、采用 MOVPE工藝制備、亮度相對于常規芯片要亮

　　2：信賴性優良

　　3：應用廣泛

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