<var id="fnfpo"><source id="fnfpo"></source></var>
<rp id="fnfpo"></rp>

<em id="fnfpo"><object id="fnfpo"><input id="fnfpo"></input></object></em>
<em id="fnfpo"><acronym id="fnfpo"></acronym></em>
  • <th id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></th>
  • <progress id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></progress>
  • <tbody id="fnfpo"><pre id="fnfpo"></pre></tbody>

  • x
    x

    開關電源高性能低待機功耗的原邊反饋控制ICSM7205對比芯朋微應用設計

    發布時間:2018-10-25 17:16    發布者:qq2355773792
    關鍵詞: 恒流控制IC , SM7205


    開關電源高性能低待機功耗的原邊反饋控制ICSM7205替換芯朋微


    SM7205 是應用于離線式小功率  AC/DC 開關電源的高性能低待機功耗的原邊反饋控制

    功率開關,內部集成了高壓 730V 的功率 MOS,在全電壓輸入范圍內實現高精度恒壓輸

    出, 精度小于±5% , 待機功耗小于
    30mW@230Vac,無需環路補償,可使系統節省光耦和 TL431 等元件,降低成本,并且

    提供了準諧振以及抖頻功能以改善系統的 EMI 特性,同時滿足六級能效。
    芯片內部集成了逐周期峰值電流限制,過流保護、VDD 欠壓保護、VDD 過壓保護等功能

    ,以提高系統的可靠性。













    原邊反饋控制ICSM7205待機功耗<30mW@230Vac
    無需環路補償
    內置可編程的線網電壓檢測功能
    內置前沿消隱電路(LEB)
    內置準諧振
    內置±7%抖頻
    內置 730V 高壓功率 MOS
    滿足六級能效
    具有過流保護、過載保護
    VDD 過壓保護等多種保護
    封裝形式:SOP7、DIP8

    原邊反饋控制ICSM7205應用領域
    DVD、DVB、適配器
    打印機電源
    手機/無繩電話、PAD、數碼相機、MP3 等產品的充電器、適配器
    小功率電源適配器
    電腦、電視等產品的輔助電源或待機電源





    原邊反饋控制ICSM7205功能表述
    SM7205 是一款高效率超低待機功耗內置高壓 730V 功率 MOS 的恒壓原邊控制開關。

    它采用變頻控制方式來調節輸出電壓。該芯片內部包括一個振蕩器、反饋電路、頻率調

    制、電流限流電路、前沿消隱功能以及用于恒壓控制的邏輯控制電路。
    恒壓工作方式
    控制器通過變頻來調節反饋引腳電壓,使其維持在 VFB 的水平。在高壓開關關斷

    2.5us 后,對反饋引腳電壓進行采樣。輕載條件下,還會降低電流限流點,從而降低變

    壓器磁通密度。







    原邊反饋控制ICSM7205自動重啟動和開環保護
    一旦出現故障,例如在輸出短路或開環情況下,SM7205 芯片會進入相應的保護模式,

    具體情況如下所述。如果反饋引腳電壓在反激期間降低到 VFB 以下,反饋引腳在采樣

    延遲時間超過 50 ms 之前, 轉換器進入自動重啟模式, 此時功率 MOS 被禁止 1 秒

    。自動重啟動電路對功率 MOSFET 進行交替使能和關閉,直到故障排除為止。



    原邊反饋控制ICSM7205電流限流點


    原邊反饋控制ICSM7205電流限流電路檢測功率 MOS 的電流。當電流超過內部閾值

    (ILIMIT)時,在該周期剩余階段會關斷功率 MOS。在功率 MOS 開啟后,前沿消隱電路

    會將電流限流比較器抑制片刻(tLEB)。通過設置前沿消隱時間,可以防止由電容及整流

    管反向恢復時間產生的電流尖峰引起導通的 MOS 提前誤關斷。
    恒壓原理
    邏輯控制器調節反饋引腳電壓,使其維持在VFB的水平。在高壓開關關斷延時一段時間

    后,對反饋引腳電壓進行采樣。輕載條件下,還會降低電流限流點,從而降低變壓器

    通密度。系統的恒壓輸出公式如下:
















    原邊反饋控制ICSM7205的 5、6 腳需要鋪銅散熱(如果是雙面板,頂層與底層均需要鋪

    銅),可采用網格狀或線性漏銅,以降低芯片的溫度及提高系統的性能。
    DRAIN 腳布線時到變壓器的環路距離盡量短,環路面積要小,不能采用大面積鋪銅。
    VDD 電容的地要靠近芯片的地。
    FB 分壓電阻的地要靠近芯片的地。
    Y 電容要單點接地(從輸入電解電容直接接一條線)。
    初次級的安規距離要大于 6mm,不足 6mm 需要開槽處理。





    本文地址:http://www.portaltwn.com/thread-548971-1-1.html     【打印本頁】

    本站部分文章為轉載或網友發布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責;文章版權歸原作者及原出處所有,如涉及作品內容、版權和其它問題,我們將根據著作權人的要求,第一時間更正或刪除。
    您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

    廠商推薦

    • Microchip視頻專區
    • 你仿真過嗎?使用免費的MPLAB Mindi模擬仿真器降低設計風險
    • 我們是Microchip
    • 更佳設計的解決方案——Microchip模擬開發生態系統
    • 利用模擬開發工具生態系統進行安全電路設計
    • 貿澤電子(Mouser)專區
    關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
    電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
    快速回復 返回頂部 返回列表
    精品一区二区三区自拍图片区_国产成人亚洲精品_亚洲Va欧美va国产综合888_久久亚洲国产精品五月天婷