Littelfuse推出瞬態抑制二極管陣列，為超高速接口提供超低電容ESD保護
發布時間：2019-5-8 14:21
發布者：eechina
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達到AEC-Q101標準的器件性能超越基于聚合物的技術或放電器 Littelfuse, Inc.推出兩個系列的雙向瞬態抑制二極管陣列（SPA二極管），用于在PCB布局尤其具有挑戰性的應用中保護超高速消費電子產品接口免受破壞性靜電放電（ESD）的損壞。 SP3208系列中的第一款瞬態抑制二極管陣列SP3208-01UTG經過機械優化，可提供穩定的超低電容（標稱值為0.08 pF）。 第一款SP3213系列器件SP3213-01UTG則可提供具有較高成本效益的ESD保護解決方案。 
SP3208和SP3213系列瞬態抑制二極管陣列 兩款“超低電容ESD保護”器件均符合AEC-Q101標準，并采用相同的座模，可安全吸收±12 kV的重復ESD震擊而不會影響性能，并可安全耗散2A的8/20μs浪涌電流。 SP3208和SP3213系列瞬態抑制二極管陣列的典型應用包括： • 超高速數據線路和接口，例如USB 3.2、3.1、3.0、2.0、HDMI 2.1. 2.0、1.4a、1.3、DisplayPort™、Thunderbolt和V-by-One， • 低功率天線端口 • 消費類、移動及便攜式電子產品 • 平板電腦和帶有高速接口的外部存儲設備 “不斷提升的數據速率給需要保持高度信號完整性的設計工程師帶來了巨大挑戰�！盠ittelfuse瞬態抑制二極管陣列（SPA二極管）業務開發經理Tim Micun表示。 “相比市面上的其他ESD保護解決方案，SP3208和SP3213系列的標稱電容要低50%，這有助于保持信號的完整性，并將數據丟失率降至最低。 提供超過30 GHz的傳輸頻帶，讓信號完整性工程師可創造出高速的數據環境�！� SP3208和SP3213系列瞬態抑制二極管陣列提供下列關鍵優勢： • 低于0.1 pF基于硅的ESD保護可實現高達30 GHz的傳輸頻帶，為全世界最快的數據接口確保高度信號完整性。 • 采用內部結構增強的業內標準0201DFN封裝可減少寄生電容、電感和電阻，使得這些瞬態抑制二極管陣列能夠更加輕松地融入保護方案。 • 更低的寄生電容和電感可改善動態電阻性能，更快、更好地保護電路。 供貨情況 SP3208和SP3213系列瞬態抑制二極管陣列提供表面貼裝式μDFN-2 (0201)封裝，采用15,000只裝卷帶封裝。 您可通過全球各地的Littelfuse授權經銷商索取樣品。 如需了解Littelfuse授權經銷商名錄，請訪問littelfuse.com。 |
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