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    5G推升需求,GaAs射頻器件2020年總營收將達64.92億美元

    發布時間:2019-7-11 09:52    發布者:eechina
    關鍵詞: GaAs , 射頻前端 , 5G基站
    來源:拓墣產業研究院

    根據集邦咨詢旗下拓墣產業研究院報告指出,由于現行射頻前端器件制造商因手機通訊器件的功能需求,逐漸以GaAs晶圓作為器件的制造材料,加上隨著5G建設逐步展開,射頻器件使用量較4G時代倍增,預料將帶動GaAs射頻器件市場于2020年起進入新一波成長期。

    拓墣產業研究院指出,由于射頻前端器件特性,包含耐高電壓、耐高溫與高頻使用等,在4G與5G時代有高度需求,傳統如HBT和CMOS的Si器件已無法滿足,廠商便逐漸將目光轉移至GaAs化合物半導體。而GaAs化合物半導體憑借本身電子遷移率較Si器件快速,且具有抗干擾、低噪聲與耐高電壓等特性,因此特別適合應用于無線通訊中的高頻傳輸領域。

    由于4G時代的手機通訊頻率使用范圍已進展至1.8~2.7GHz,傳統3G的Si射頻前端器件已不夠使用,加上5G通市場正步入高速成長期,其使用頻段也將更廣泛(包含3~5GHz、20~30GHz),因此無論是4G或5G通訊應用,現行射頻器件都將逐漸被GaAs取代。

    若以目前市場發展來看,2018年下半年受到手機銷量下滑、中美貿易戰影響,沖擊GaAs通訊器件IDM廠營收表現,預估2019年IDM廠總營收將下滑至58.35億美元,年減8.9%。

    然而,隨著5G通訊持續發展,射頻前端器件使用數量將明顯提升,如功率放大器(PA)使用量,由3G時代的2顆、4G的5-7顆,提升至5G時代的16顆,將帶動2020年整體營收成長,預估GaAs射頻前端器件總營收將達64.92億美元,年增11.3%。

    整體而言,隨著各國持續投入建設5G基站等基礎設施,預估在2021、2022年將達到高峰,加上射頻前端器件使用數量較4G時代翻倍,將可望帶動IDM大廠Skyworks(思佳訊)、Qorvo(威訊)新一波營收成長動能,而臺廠射頻代工制造業穩懋、宏捷科及環宇等,也將隨著IDM廠擴產而取得訂單,逐漸擺脫營收衰退的陰霾。
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