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相變存儲器：基本原理與測量技術

發布時間：2011-3-8 14:07 發布者：嵌入式公社

關鍵詞：測量技術 , 基本原理 , 相變存儲器

相變存儲器（可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM）是一種新興的非易失性計算機存儲器技術。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實現一億次以上的擦寫次數。本文將為您介紹相變存儲器的基本原理及其最新的測試技術。

下載：

相變存儲器：基本原理與測量技術.pdf (300.12 KB)

了解更多，請訪問Keithley技術專區。

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網友評論

zhaokuiman 發表于 2011-4-7 06:09:04

分數沒的真快啊

chery 發表于 2013-12-3 16:34:18

得到市場認可才能最終取得成功，只說是沒有用的！

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