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    SI24R2E升級版SI24R2H內置125K低頻喚醒2.4G單發芯片
    


    
    
    
發布時間：2020-7-17 15:52    
發布者：13682622419

    


    

    



    
 

    

    

    
據以上抬頭所述，相信大家都對這款有源RFID首款內置125KHz的這芯片很感興趣，但是今天在介紹這款芯片前，需要大家先屬于我司前兩代的SI24R2E/SI24R2F芯片，因為SI24R2H是在原有的產品上做迭代升級而來
    
更新情況：
    
1.Si24R2H在Si24R2F的基礎上增加了Si3933的125KHz低頻喚醒功能。
    
2.燒錄與Si24R2E一樣，都是通過上位機直接配置，無需編程。
    
3.Si24R2H可以外接NTC熱敏電阻采集溫度，偏差值±0.5℃。
    
4.最大發射功率12dBm,睡眠電流300nA（2.4G部分）
    
5.小尺寸 5*5 QFN32封裝
    
SI24R2H功能簡述：
    
· 工作在 2.45GHz ISM 頻段
    
· 內置 多次可編程 NVM 存儲器
    
· 具有超低功耗自動發射功能
    
· 自動發射模式下，支持 多個不同信道發射
    
· 支持發射數據加密
    
· 支持按鍵發射功能
    
· 具有低電壓自動報警功能
    
· 集成溫度監測和報警功能
    
· 具有防拆卸報警功能
    
· 集成防沖突通信機制
    
· 3.3V 編程電壓
    
· 調制方式：GFSK
    
· 數據速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps
    
· 超低關斷電流：400nA
    
· 超低待機電流：22uA
    
· 快速啟動時間： ≤ 130uS
    
· 寬電源電壓范圍：1.9-3.6V
    
· 寬數字 I/O 電壓范圍:1.9-5.25V
    
· 低成本晶振：16MHz±60ppm
    
· 最高發射功率：12dBm
    
· 發射電流: 16.8mA（0dBm)
    
· 最高 10MHz 四線 SPI 接口· 發射數據硬件中斷輸出
    
· QFN32封裝
    
· 替換 Si24R1/Si24R2/Si24R2E 發射功能
    
對有源RFID學校領域局勢有著重大的突破性的作用，有想進一步了解的可進一步聯系博主
    

    



    

    

    


    

    

    		



    



    
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