NV-SRAM成為寫日記應用程序的理想非易失性存儲解決方案
發布時間：2020-12-23 15:01
發布者：英尚微電子
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RAID存儲系統概述 RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson，Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期描述為“廉價磁盤冗余陣列”�，F在它已成為實現以下目的的冗余和并行性的數據存儲方案的統稱：與單個磁盤驅動器或“只是一堆磁盤”（JBOD）相比，具有更好的容錯能力和更好的輸入/輸出（I/O）性能。RAID通常代表由許多存儲磁盤組成的系統，服務器可以通過高速以太網或光纖通道（FC）介質訪問這些存儲磁盤。磁盤驅動器I/O速度是大多數存儲系統中的主要性能瓶頸。通常RAID系統使用并行磁盤訪問和高速緩存來提高讀取和寫入性能，同時使用冗余磁盤進行故障恢復以增強容錯能力。 通常使用電池來備份RAID系統中的高速緩存（尤其是寫高速緩存），以避免由于電源故障而丟失數據。在許多此類系統中，寫日志用于在數據從主機傳輸到存儲系統時跟蹤數據，并允許快速系統恢復，以防在將數據提交到磁盤之前發生電源或磁盤故障。如果在進行寫事務時斷電，則會在加電時回讀日志存儲器以標識掛起的寫操作。RAID控制器會不斷訪問日志以寫入日志，因此寫入日志功能需要具有高速和高耐久性的非易失性存儲器。此外存儲在該存儲器中的數據的可靠性至關重要，因為在電源故障的情況下丟失該數據會導致存儲系統的長時間停機。 NV-SRAM NV-SRAM（非易失性靜態隨機存取存儲器）是具有SRAM接口的快速非易失性存儲器。對NV-SRAM的所有讀取和寫入均由SRAM完成，這使其具有獨特的能力以極高的速度執行無限的讀取和寫入操作。如果斷電則保存在SRAM中的數據將被傳輸到與每個SRAM單元集成在一起的非易失性（NV）元件中。上電時數據自動傳輸回SRAM。高速和無限的寫/讀耐久性和高可靠性使NV-SRAM成為寫日記應用程序的理想非易失性存儲解決方案。 |
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