非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優缺點
發布時間：2021-1-29 14:26
發布者：宇芯電子
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在嵌入式系統中，Flash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執行某些功能的數據。它們可以通過多種不同的串行協議（包括SPI或串行外圍設備接口）來連接存儲設備。在單片機中也集成了多種不同類型的SPI存儲設備，包括Flash和EEPROM。 一、Flash和EEPROM之間的差異 Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電，即使關閉電源也能保存數據信息。它們都是電子可寫和可擦除存儲器，用以存儲單片機的應用程序及數據信息。這些數據可在芯片上或芯片外存儲信息。 盡管Flash和EEPROM設備都可以存儲嵌入式設備中使用的信息，但是它們的體系結構和用于讀取，寫入和擦除數據的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節級別讀取，寫入和擦除數據。另一方面Flash是EEPROM的一種，在結構上以塊的形式排列，在塊中擦除數據，并且可以在字節級別讀取或寫入數據。 二、使用閃存與EEPROM有什么優缺點？ 使用閃存或EEPROM設備有很多優點和缺點： 由于EEPROM以字節為單位運行其擦除功能，因此這增加了清除和編輯設備所花費的時間，但允許開發人員在需要時編輯特定部分。閃存能夠擦除大量數據，從而大大提高了擦除速度，并使設備可以更緊湊地存儲信息。但是由于這個原因，它也失去了編輯某些字節的能力，從而迫使開發人員在進行任何更改時都重寫整個數據塊。 在存儲設備上執行多個擦除和寫入周期將導致其最終隨著時間的推移而降級。使用EEPROM的優點之一是使用壽命更長。EEPROM在其生命周期內最多可以執行1000000個擦除/重寫周期。根據閃存的類型，閃存的使用壽命會縮短，大多數閃存產品在磨損開始惡化存儲完整性之前，能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入循環。就大小和成本而言，閃存具有比EEPROM更小的存儲單元尺寸，并且實現成本更低。 |
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