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    鐵電存儲器FRAM與其他內存的比較

    發布時間:2021-7-21 16:01    發布者:英尚微電子
    關鍵詞: 鐵電存儲器 , FRAM
    FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。

    功能比較


    FRAM
    EEPROM
    FLASH
    SRAM
    內存類型
    非揮發性
    非揮發性
    非揮發性
    易揮發的
    寫法
    覆蓋
    擦除 + 寫入
    擦除 + 寫入
    覆蓋
    寫周期時間
    150ns
    5ms
    10μs
    55ns
    讀/寫周期
    1013
    106
    105
    無限
    升壓電路
    No
    Yes
    Yes
    No
    數據備份電池
    No
    No
    No
    Yes


    串行FRAM與EEPROM/閃存
    與傳統的非易失性存儲器如EEPROM和Flash相比,FRAM具有寫入速度更快、耐用性更高和功耗更低的優勢。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有優勢;

    性能改進
    由于寫入速度快,即使在突然斷電的情況下,鐵電存儲器也能以寫入方式存儲數據。不僅如此,FRAM可以比EEPROM和Flash存儲器更頻繁地記錄數據。寫入數據時,EEPROM和閃存需要高電壓,因此比FRAM消耗更多功率。因此,通過使用FRAM,可以延長電池供電的小型設備的電池壽命。
    總之,FRAM是;

    ·能夠在突然斷電時以寫入方式存儲數據
    ·可以進行頻繁的數據記錄
    ·能夠延長電池供電設備的電池壽命

    總成本降低
    在工廠對每個產品進行參數寫入的情況下,鐵電存儲器有助于降低制造成本,因為與EEPROM和閃存相比,FRAM可以縮短寫入時間。此外,FRAM可以給您一個芯片解決方案,而不是多芯片解決方案,例如2個芯片由EEPROM+Flash組成,或者3個設備由EEPROM+SRAM+電池組成。

    ·縮短出廠參數寫入時間
    ·減少最終產品中使用的零件數量

    并行FRAM與SRAM
    具有并行接口的鐵電存儲器,兼容電池備份SRAM,可以替代SRAM。通過將SRAM替換為FRAM,客戶希望獲得以下優勢。

    總成本降低
    使用SRAM的系統需要保持電池狀態檢查。通過更換為FRAM,客戶可以從電池檢查的維護負擔中解脫出來。此外,FRAM不需要SRAM所需的電池插座和防回流二極管及其空間。FRAM的單芯片解決方案可以減少空間和成本。

    ·免維護;無需更換電池
    ·設備小型化;可以減少最終產品的許多零件

    環保產品
    廢舊電池成為工業廢棄物。通過用FRAM替換SRAM+電池,可以減少不必要的備用電池。

    ·減少電池處理

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