NV-SRAM在數據記錄應用中優于現有存儲器
發布時間：2022-6-10 17:20
發布者：英尚微電子
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NV-SRAM（非易失性SRAM或NVRAM）是一種獨立的非易失性存儲器，業界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRAM 數據的副本并將其保存到非易失性存儲器中，并允許在不消耗電力的情況下調用數據。非常適合需要快速寫入速度、高耐用性和即時非易失性的高性能可編程邏輯控制器 (PLC)、智能儀表和網絡路由器等數據記錄應用。 NV-SRAM的主要特征 快速訪問-以20ns的速度執行隨機訪問讀寫 無限耐力-提供無限的寫入和讀取 節省空間-與BBSRAM相比占用更小的電路板空間 耐輻射-不受輻射引起的軟錯誤的影響 NV-SRAM產品與EEPROM和BBSRAM（電池支持SRAM或BatRAM）解決方案相比，其消耗的有效電流更少。與電池支持的解決方案不同，NV-SRAM存儲器不需要外部電池來保持電量。因此NV-SRAM適用于智能電表等數據記錄應用。無限耐用性和即時非易失性確保NV-SRAM在多個數據記錄應用中優于現有存儲器（如EEPROM和BBSRAM）。
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