飛宏新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用Transphorm的氮化鎵技術
發布時間：2022-8-2 18:22
發布者：eechina
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Transphorm用于低功耗應用的高可靠性器件能簡化電源系統的開發，減少元件數量；是18億美元規模的適配器市場的成熟解決方案 Transphorm, Inc.宣布，全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管(FET)平臺，具有以下優點：系統設計簡單，元件數量少，性能更高，可靠性一流。 
飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個USB-C端口和一個USB-A端口(2C1A)，可同時為三臺設備充電。這款充電器采用了單個650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，與采用準諧振反激模式(QRF)拓撲結構的硅解決方案相比，功率損失可減少約17%。該適配器還提供高達65W的USB PD和PPS功能。 TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過JEDEC認證的PQFN88表面貼裝器件，具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式(ACF)或LLC諧振拓撲結構上的150W或以下低功率應用的理想選擇。 Transphorm的TP65H300G4LSG具有與硅類似的閾值水平和高柵極擊穿電壓（最大±18 V）。它可以與現成的控制器（包括帶有集成驅動器的控制器）配合使用，無需負偏置電壓。這些功能可簡化電源系統的設計；消除對額外外圍電路的需求，從而減少元件數量；同時還能增加整個系統的可靠性——這些都是飛宏決定采用Transphorm FET的關鍵原因。 飛宏生產制造各種備受電子設備公司信賴的可靠電源解決方案。公司對氮化鎵功率密度優勢的理解讓其決定打造新的氮化鎵適配器。Transphorm的氮化鎵FET具有簡單可設計性和可驅動性，并且具有高柵極魯棒性，因此飛宏很快決定選擇Transphorm作為其氮化鎵器件合作伙伴。 根據Facts and Factors近期發布的一份報告，預計到2026年全球交流轉直流適配器市場規模將達到18.54億美元，年復合增長率為12.7%。Transphorm最近也在5月份的報告中稱，其240毫歐器件的發展勢頭正在不斷加強，公司獲得了亞洲大型手機(65W)項目和領先的WW電子零售商(140W)項目的ODM預生產訂單。此外，該公司的市場份額增長還得益于成功贏得一家《財富》100強頭部企業的另一項筆記本適配器設計項目，其中包括5萬個SuperGaN® 240毫歐FET的初始采購訂單。這些FET可以為65W快充適配器應用提供更高的效率，而競爭對手的e-mode氮化鎵FET則需要更大的150毫歐器件來滿足類似應用的需求。因此，這些Transphorm SuperGaN® FET使客戶能夠利用更小的器件實現更強的性能。 Transphorm亞太區銷售副總裁Kenny Yim表示：“我們的SuperGaN平臺從一開始就圍繞四大關鍵原則打造：可靠性、可設計性、可驅動性和可重復性。我們的240毫歐器件也不例外。我們讓適配器制造商能夠設計出體積小、重量輕、發熱少的產品，并提供前沿的先進USB充電功能。這些創新正在推動全球適配器市場對氮化鎵的采用，使我們有能力通過大批量生產能力支持高性能的解決方案，從而鞏固我們的市場地位�！� |
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