北方華創正式發布 CCP 介質刻蝕機，實現刻蝕工藝全覆蓋
發布時間：2022-8-15 14:28
發布者：eechina
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來源：IT之家 據北方華創官方宣布，今天，北方華創正式發布 CCP 介質刻蝕機，目前已在 5 家客戶完成驗證并實現量產。此前北方華創已推出 ICP 刻蝕機、金屬刻蝕機等，實現刻蝕工藝全覆蓋。 北方華創 NMC508 RIE 介質刻蝕機采用 8 吋設備二十年工藝基礎；專為 8 吋工藝設計的腔室與硬件，滿足定制化需求；6&8 吋兼容，可實現快速切換；目前，已在 5 家客戶完成驗證并實現量產；支持 18 年成熟的軟件系統應用，以及穩定的備件系統，配備可靠供應鏈；搭載全套服務團隊，可提供包括工藝開發、零部件供應、軟件升級、質保服務等在內的全方位保障。 據官方介紹，NMC508 RIE 介質刻蝕機在前道工藝上，具有刻蝕形貌好、選擇比高、工藝性能優越的特點；在后道工藝，可實現對金屬副產物的有效控制，維護周期長；采用多頻射頻技術，具有刻蝕速率高、工藝均勻性佳、工藝窗口大等特點，可更好滿足深孔小 CD 的應用發展趨勢；在晶圓傳輸平臺系統上，采用自主研發的通用平臺，擁有成熟的軟件系統，并具備晶圓自動定心 (AWC) 功能，滿足晶圓穩定傳輸作業的需求；在腔室設計上，采用獨特的防等離子打火結構和精確的電極控溫設計，具備溫度分區控制功能，配備終點檢測系統，滿足關鍵刻蝕工藝的均一性、終點抓取等需求，且顆粒表現佳；耗材壽命長，維護便捷，可滿足您擁有成本 (COO) 和消耗成本 (COC) 雙低的需求。作為 CCP 刻蝕機，具備在介質刻蝕上的高選擇比、高刻蝕速率等優勢，適用于介質類氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等膜層材料；可為客戶提供包括邏輯器件、功率器件、化合物半導體等在內的多種特色工藝；主要應用領域包括但不限于：Logic, BCD, Power (Si / SiC / GaN), MEMS。 NMC508 RIE 介質刻蝕機的推出，完成了該領域國產設備工藝的最后一塊拼圖，實現了北方華創在 8 吋刻蝕設備上的整體解決方案，包括硅刻蝕、深硅刻蝕、金屬刻蝕、化合物半導體刻蝕 (SiC, GaN, GaAs, InP, LiNbO3, LiTaO3 等）等工藝設備。 北方華創還可提供包括 PVD、CVD、ALD、爐管、清洗等在內的 8 吋設備，提供整體解決方案。 |
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