1700V100A內阻20mohm中國的碳化硅器件， 特性：低電容高速開關，高阻塞電壓，低RDS(on)；使用標準門驅動，駕駛簡單； 100%雪崩測試；最高結溫175°C；符合ROHS標準。
碳化硅MOS管-全碳SiC模塊產品應用、驅動、系統方案詳解2024.pdf
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ASC100N、40N、5N、1N 1700V碳化硅MOS.pdf
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1700V碳化硅MOS：1A-5A-40A -100A,封裝TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7 |
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| 第三代半導體SIC寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點 |
| 國產首家過AEC-Q101 |
| 1700V100A高壓大電流 |
| 1700V100A厲害了 |
| 國產模塊 DCM/1200V800A |
| SiC MOSFET在車載充電器（OBC）上越來越受歡迎 |
| 寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點 |
| 采用6英寸技術已量產20余款650V~1200V~1700V~3300V全系列SiC MOSFET產品。 |
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http://www.portaltwn.com/forum.ph ... jAwfDgxMDg4Ng%3D%3D碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。 |
| 新能源都800V平臺了，1700V的 MOS應該會火起來 |
| 碳化硅MOS管國產從650V-1200V-1700V-3300V，后續推出6500V。 - 電子工程網 http://www.portaltwn.com/thread-826808-1-1.html |
| 1700V碳化硅MOS：1A-5A-40A -100A,封裝TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7 |
| 碳化硅MOS驅動設計及SiC柵極驅動器示例 - 模擬電子技術 - 電子工程網 http://www.portaltwn.com/thread-838162-1-1.html |
| 碳化硅MOS管電壓650V-1200V-1700V-3300V，電流5A-150A 。 - 汽車電子 - http://www.portaltwn.com/thread-810886-1-1.html |
碳化硅MOSFET驅動設計合訂本 https://pan.baidu.com/s/1IGOLO2oMVZ1wYF80zFcc9g提取碼uspc |
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