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    具有出色的性價比IKWH30N65WR5XKSA1、IKW30N65WR5XKSA1 650V IGBT晶體管

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    發表于 2023-8-9 16:28:44 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    關鍵詞: IKW30N65WR5XKSA1 , IKWH30N65WR5XKSA1 , IGBT , 分立半導體


    650V TRENCHSTOP™ 5 WR5反向導通IGBT是特殊反向導通IGBT系列器件,針對通常在焊接逆變器應用中的完全額定硬切換關斷進行了優化。這些IGBT以具有吸引力的價格提供良好性能。WR5 IGBT具有出色的性價比,建議用于焊接中的交流-直流PFC級、UPS和太陽能應用。

    特性:
    功能強大的單片二極管,優化用于ZCS應用
    采用TRENCHSTOP™ 5技術的優勢如下:
    高度穩健,溫度特性穩定
    極低VCEsat和低Eoff
    得益于VCEsat中的正溫度系數,可輕松實現并聯開關功能
    低EMI
    低電氣參數(取決于溫度)
    按照JESD-022標準符合目標應用要求
    引腳無鉛電鍍
    符合RoHS指令


    明佳達電子/星際金華(回收、供應)具有出色的性價比IKWH30N65WR5XKSA1、IKW30N65WR5XKSA1 650V IGBT晶體管 分立半導體,如有需要,請聯系陳先生qq 1668527835 咨詢。

    1、IKWH30N65WR5XKSA1 IGBT 650V 75A 190W 通孔 PG-TO247-3-32
    IGBT 類型:溝槽型場截止
    電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
    電流 - 集電極 (Ic)(最大值):75 A
    電流 - 集電極脈沖 (Icm):90 A
    不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,30A
    功率 - 最大值:190 W
    開關能量:870μJ(開),400μJ(關)
    輸入類型:標準
    柵極電荷:133 nC
    25°C 時 Td(開/關)值:41ns/398ns
    測試條件:400V,30A,27 歐姆,15V
    工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-247-3
    供應商器件封裝:PG-TO247-3-32



    2、IKW30N65WR5XKSA1 IGBT晶體管 650V 60A 185W 通孔 PG-TO247-3
    IGBT 類型:溝道
    電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
    電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A
    電流 - 集電極脈沖 (Icm):90 A
    不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,30A
    功率 - 最大值:185 W
    開關能量:990μJ(開),330μJ(關)
    輸入類型:標準
    柵極電荷:155 nC
    25°C 時 Td(開/關)值:39ns/367ns
    測試條件:400V,15A,26 歐姆,15V
    反向恢復時間 (trr):95 ns
    工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
    安裝類型:通孔
    封裝/外殼:TO-247-3


    典型應用——
    焊接
    功率因數校正 (PFC)
    ZCS - 轉換器

    注:本文部分內容與圖片來源于網絡,版權歸原作者所有。如有侵權,請聯系刪除!
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