<var id="fnfpo"><source id="fnfpo"></source></var>
<rp id="fnfpo"></rp>

<em id="fnfpo"><object id="fnfpo"><input id="fnfpo"></input></object></em>
<em id="fnfpo"><acronym id="fnfpo"></acronym></em>
  • <th id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></th>
  • <progress id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></progress>
  • <tbody id="fnfpo"><pre id="fnfpo"></pre></tbody>

  • 高通與谷歌合作為可穿戴設備開發RISC-V芯片

    發布時間:2023-10-18 17:36    發布者:eechina
    關鍵詞: RISC-V , 可穿戴
    來源: 網易科技報道



    10月18日消息,高通周二宣布與谷歌合作,采用基于RISC-V技術的芯片制造智能手表等可穿戴設備。

    RISC-V是一種開源技術,與英國芯片設計公司Arm的昂貴專有技術競爭。RISC-V可用于制造智能手機芯片和人工智能高級處理器。

    盡管立法者對別國利用美國公司之間的開放合作文化推動自己的半導體產業表示擔憂,但美國公司仍在積極推進基于RISC-V的技術。

    高通計劃在全球范圍內實現基于RISC-V的可穿戴設備解決方案商業化,包括美國。

    高通表示,這將有助于安卓生態系統中更多產品利用低功耗、高性能的定制處理器。

    本文地址:http://www.portaltwn.com/thread-843692-1-1.html     【打印本頁】

    本站部分文章為轉載或網友發布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責;文章版權歸原作者及原出處所有,如涉及作品內容、版權和其它問題,我們將根據著作權人的要求,第一時間更正或刪除。
    您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

    廠商推薦

    • Microchip視頻專區
    • Dev Tool Bits——使用MPLAB® Discover瀏覽資源
    • Dev Tool Bits——使用條件軟件斷點宏來節省時間和空間
    • Dev Tool Bits——使用DVRT協議查看項目中的數據
    • Dev Tool Bits——使用MPLAB® Data Visualizer進行功率監視
    • 貿澤電子(Mouser)專區

    相關視頻

    關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
    電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
    快速回復 返回頂部 返回列表
    精品一区二区三区自拍图片区_国产成人亚洲精品_亚洲Va欧美va国产综合888_久久亚洲国产精品五月天婷