<var id="fnfpo"><source id="fnfpo"></source></var>
<rp id="fnfpo"></rp>

<em id="fnfpo"><object id="fnfpo"><input id="fnfpo"></input></object></em>
<em id="fnfpo"><acronym id="fnfpo"></acronym></em>
  • <th id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></th>
  • <progress id="fnfpo"><track id="fnfpo"></track></progress>
  • <tbody id="fnfpo"><pre id="fnfpo"></pre></tbody>

  • 查看: 1529|回復: 0
    打印 上一主題 下一主題

    CES2312-VB_MOSFET產品應用與參數解析

    [復制鏈接]
    跳轉到指定樓層
    樓主
    發表于 2023-10-25 16:31:33 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    關鍵詞: MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi , CES2312
    CES2312( VB1240)
    參數描述:
    N溝道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V);SOT23
    型號參數介紹:
    CES2312 (VB1240)參數說明:N溝道,20V,6A,導通電阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,門源電壓范圍8V(±V),可調閾值電壓范圍0.45~1V,封裝:SOT23。
    應用簡介:CES2312是一款中低電壓N溝道MOSFET,適用于電源開關、電機控制和穩壓等應用。
    其低導通電阻和可調的閾值電壓使其在多種場景中具備靈活性。
    優勢與適用領域:具有低導通電阻和可調的閾值電壓,適用于要求低電壓降和靈活性的領域,如電池管理、便攜式設備和LED驅動等模塊。

    VB1240.png (83.9 KB)

    VB1240.png

    CES2312.pdf

    302.38 KB, 下載積分: 積分 -1

    您需要登錄后才可以回帖 登錄 | 立即注冊

    本版積分規則

    關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
    電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
    快速回復 返回頂部 返回列表
    精品一区二区三区自拍图片区_国产成人亚洲精品_亚洲Va欧美va国产综合888_久久亚洲国产精品五月天婷