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SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

    

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發表于 2023-11-23 17:39:19
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    貿澤電子有獎問答視頻，回答正確發放10元微信紅包
    關鍵詞：
    SI2309CDS-T1-GE3    , MOS管    , MOS    , mosfet    , vbsemi
    

    
 

    

    

    

    SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)參數說明：P溝道，-60V，-5.2A，導通電阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-2V，封裝：SOT23。
    
應用簡介：SI2309CDS-T1-GE3適用于低功率開關和電流控制等領域。
    
其低導通電阻和小封裝使其在緊湊場景中表現出色。
    
適用領域與模塊：適用于低功率開關、電流控制和模擬開關等領域模塊，特別適合緊湊型應用的場景。
    

    

    

    


    





    

    

    


    
VB2658.png
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VB2658.png


    


    

    

    




    

    


    

    

    

SI2309CDS-T1-GE3.pdf


    

    

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