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SI2323CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

    

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發表于 2023-11-24 16:19:38
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    貿澤電子有獎問答視頻，回答正確發放10元微信紅包
    關鍵詞：
    SI2323CDS-T1-GE3    , MOS管    , MOS    , mosfet    , vbsemi
    

    
 

    

    

    

    SI2323CDS-T1-GE3 (VB2355)參數說明：P溝道，-30V，-5.6A，導通電阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓-1V，封裝：SOT23。
    
應用簡介：SI2323CDS-T1-GE3適用于功率開關和穩壓應用的P溝道MOSFET。
    
其低導通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。
    
適用領域與模塊：適用于電源開關、穩壓和逆變器等領域模塊，特別適合要求低功率損耗的場景。
    

    

    

    


    





    

    

    


    
VB2355.png
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VB2355.png


    


    

    

    




    

    


    

    

    

SI2323CDS-T1-GE3.pdf


    

    

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