Si2399DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析
發布時間：2024-1-10 15:20
發布者：VBsemi
關鍵詞：
Si2399DS-T1-GE3
Si2399DS-T1-GE3 參數： P溝道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
應用簡介： Si2399DS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應用。 由于其低導通電阻（RDS(ON)），能有效降低導通損耗，在需要高效能轉換的電路中表現出色。 常用于電源管理、DC-DC轉換等電路中，如適配器、電池充電器等。 優勢： Si2399DS-T1-GE3的主要優勢包括：低導通電阻： 具有低的導通電阻，減少了功率損耗和熱量產生。 可靠性： VBsemi是知名半導體品牌，產品經過嚴格的質量控制，具有高的可靠性。 封裝： 小型SOT23封裝適合空間有限的設計。 適用模塊： Si2399DS-T1-GE3 可用于手機充電模塊中的DC-DC轉換器電路。 在手機充電時，需要將輸入電壓（通常是5V或9V）轉換為適合充電電池的電壓。 MOSFET可以在這些轉換器中用作開關，控制電流流向，實現高效的電能轉換。 該型號的低導通電阻有助于減少轉換損耗，提高充電效率，同時SOT23封裝適合手機模塊的小型設計要求。 |
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Si2399DS-T1-GE3
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