德州儀器計劃大規模將GaN芯片生產由6英寸轉換成8英寸
發布時間：2024-3-22 14:44
發布者：eechina
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來源：科技新報 根據韓國媒體THE ELEC的報導，模擬芯片大廠德州儀器(TI)的一位高層表示，該公司正在將其多個晶圓廠生產的6英寸氮化鎵(GaN)芯片，轉移到8英寸晶圓廠來生產。 報導指出，德州儀器韓國公司經理Jerome Shin在首爾舉行的新聞發布會上表示，德州儀器正在達拉斯和日本會津準備興建8英寸晶圓廠，這將使其能夠提供更具價格競爭力的GaN芯片 JeromeShin指出，人們普遍認為GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂貴，但這種看法自2022年以來發生了轉變。因為德州儀器正在將其生產由6英寸晶圓廠轉換為8英寸晶圓廠，而生產更大的晶圓代表著每個晶圓上都有更多的芯片，這可以提高公司的生產力，也使量產的GaN芯片價格能更加便宜。 而現階段，GaN芯片的價格已經低于SiC芯片。未來，德州儀器在達拉斯和日本會津工廠的改造完成后，將能夠進一步能夠提供更便宜的解決方案。達拉斯工廠的擴產預計將于2025年完成，不過JeromeShin并未透露日本會津工廠的時間表。 不過，有市場人士表示，德州儀器這樣的計劃可能會導致GaN芯片價格全面下跌。目前，德州儀器也正在將電源管理芯片的生產從8英寸晶圓廠轉變為12英寸晶圓。這動作也已經使產業間的電源管理芯片價格下跌。不過，將電源管理芯片的生產從8英寸晶圓廠轉變為12英寸晶圓這可使得德州儀器節省10%以上的成本。 |
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