新型存儲技術迎制程突破
發布時間：2024-6-4 16:04
發布者：eechina
關鍵詞：
存儲技術
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來源：全球半導體觀察 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發已基本完成，正按計劃逐步推進制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術，屬于面向嵌入式領域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數據，同時寫入速度是NAND的1000倍數。 基于上述特性，業界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。 三星電子是eMRAM主要生產商之一，致力于推動eMRAM在汽車領域的應用。三星于2019年開發并量產業界首款基于28nm FD-SOI的eMRAM，具備28nm eMRAM生產能力之后，另據媒體報道，三星還計劃2024年量產14nm eMRAM，2026年量產8nm eMRAM，2027年量產5nm eMRAM。 三星對eMRAM在未來車用領域的應用充滿信心，并表示其產品耐溫能力已達到150~160℃，完全能夠滿足汽車行業對半導體的嚴苛要求。 近年，大數據、人工智能等應用不斷普及，帶來了海量存儲需求，同時也對存儲技術提出了更高要求，于是新型存儲技術不斷涌現，其中SCM（Storage Class Memory）是具有代表性的技術，它結合了DRAM和閃存的特點，具有DRAM的高速讀寫性能，又擁有NAND閃存的持久存儲能力，有望解決DRAM存儲器容量小、易失性和高成本等問題，產品主要包含相變存儲器（PCM）、阻變存儲器（ReRAM）、磁阻存儲器（MRAM）和納米管RAM（NRAM）等。 除了三星之外，今年以來鎧俠、字節跳動等公司也在新型存儲領域有所動作。4月，鎧俠CTO宮島英史對外表示，與同時運營NAND和DRAM的競爭對手相比，鎧俠在業務豐富程度上面處于競爭劣勢，有必要培育SCM（Storage Class Memory）等新型存儲產品業務。為發力先進存儲技術，鎧俠還將“存儲器技術研究實驗室”重組為“先進技術研究實驗室”。 3月媒體報道，字節跳動投資國內存儲芯片公司昕原半導體，成為該公司的第三大股東。資料顯示，昕原半導體專注于ReRAM新型存儲技術及相關芯片產品的研發，產品涵蓋高性能工控/車規SoC/ASIC芯片、存算一體（Computing in Memory, CIM）IP及芯片、系統級存儲（System-on-Memory, SoM）芯片三大應用領域。 AI浪潮之下，高容量、高性能存儲產品重要性不斷凸顯，HBM無疑是當前最受關注的產品，市況供不應求，產值持續攀升。 全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢此前預計，2023年HBM產值占比之于DRAM整體產業約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。同時，新型存儲技術也不斷涌現，3D DRAM時代即將開啟；SCM潛力即將釋放，PCIe 6.0/7.0蓄勢待發… |
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