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    70N10-HG010N10L 高壓場效應MOS管TO-252封裝 散熱好 抗雪崩能力強
    


    
    
    
發布時間：2024-6-11 10:48    
發布者：HHZHOUQIN

    


    

    


    關鍵詞：
    70N10-HG010N10L    , 散熱好    , 抗雪崩能力強
    


    
 

    

    

    概述
    FSMOS®MOSFET基于惠海半導體的器件設計，可實現低功耗RDS（ON）、低柵極電荷、快速切換和優異的雪崩特性。低Vth系列是專門為具有低驅動電壓的同步整流系統而優化的。
    特征
    RDS（ON）和FOM低
    低開關損耗
    卓越的可靠性和一致性
    快速切換和軟恢復
    應用
    PD充電器
    電機驅動器
    開關電壓調節器
    DC-DC轉換器
    









    

    



    

    

    


    

    

    		




    



    
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whuihui 發表于
2024-7-16 14:20:53

    

    

    

    
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