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  • 英飛凌推出全新600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列,適用于高成本效益的先進電源應用

    發布時間:2024-6-26 18:23    發布者:eechina
    關鍵詞: CoolMOS , MOSFET , 先進電源
    英飛凌科技股份公司推出600 V CoolMOS 8 高壓超結(SJ)MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS 7 MOSFET系列的先進特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產品系列的后續產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案,豐富了英飛凌的寬帶隙產品陣容。該系列產品配備集成式快速體二極管,適用于服務器和工業開關模式電源裝置(SMPS)、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應用。


    600 V CoolMOS 8 600 V QDPAK TSC

    這些元件采用SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8 x 8封裝,不僅簡化了設計,還降低了組裝成本。在10 V電壓下,600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET的柵極電荷(Qg)較CFD7降低了18%,較 P7降低了33%。在400 V電壓下,該產品系列的輸出電容COSS較CFD7和P7降低了50%,關斷損耗(Eoss) 較CFD7和P7降低了 12%,反向恢復電荷(Qrr)較CFD7降低了3%。此外,這些器件的反向恢復時間(trr)更短,熱性能較上一代產品提高了14%至42%。

    憑借這些特性,該系列器件能夠在LLC和ZVS 相移全橋等軟開關拓撲結構中實現高效率和高可靠性。它們在 PFC、TTF及其他硬開關拓撲中同樣具有出色的性能水平。由于優化了RDS(on),這些半導體器件擁有更高的功率密度,能使采用硅基超級結(SJ)技術的產品降低到7 mΩ的個位數值。

    供貨情況

    600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET樣品現已推出。了解更多信息,敬請訪問www.infineon.com/coolmos8。

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