代碼和數據整合xSPI STT‐MRAM應用場景
發布時間：2024-10-28 16:51
發布者：英尚微電子
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Everspin xSPI STT‐MRAM在代碼和數據整合的應用場景中，應用程序代碼和少量數據存儲在同一個內存芯片中。這有時需要滿足嚴格的成本和空間(如物理板空間)要求。代碼在啟動時加載到RAM中。文件系統可用于存儲數據，也可能用于存儲固件，但經常會使用原始訪問。由于NORflash成本低、尺寸小，因此通常用于此目的。 對于只讀或以讀取為中心的工作負載，這種設計非常合適。但是，由于寫入性能差和寫入能耗高，NOR閃存通常不適合中等寫入工作負載。NAND閃存也可用于提高寫入性能，但由于壞塊和軟錯誤管理，它會帶來額外的復雜性。另一個問題是耐力。雖然大多數應用永遠不會接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期，但保持力會隨著單元磨損而顯著下降。根據未磨損設備的典型10年規格，10K循環后，保留時間可能會降至僅1年。如果固件映像以磨損塊結束(如果使用了適當的磨損均衡，這可能會發生)，這可能會成為一個問題。 Everspin xSPI STT‐MRAM封裝8DFN，容量高達64Mb，非常適合這種特殊的使用情形。它具有極高的寫入速度、低寫入能耗和幾乎無限的寫入耐久性。截至目前，NOR flash仍然比MRAM有容量優勢，但大型NOR芯片并不便宜，沒有跡象表明MRAM無法擴大規模和成本的綜合水平。樣品聯系代理商英尚微電子。 |
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