Vishay 新款150 V MOSFET具備業界領先的功率損耗性能
發布時間：2024-11-20 17:56
發布者：eechina
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TrenchFET 器件采用PowerPAK SO-8S封裝，RthJC低至0.45 C/W，ID高達144 A，從而提高功率密度 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出采用PowerPAK SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業和計算應用領域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導通電阻降低了68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中MOSFET的關鍵品質因數（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而連續漏極電流增加了179 %。 
日前發布的器件具有業內先進的導通電阻（10 V 時為 5.6 m）以及導通電阻和柵極電荷乘積FOM（336 m*nC），可最大限度降低傳導造成的功率損耗。因此，設計人員能夠提高效率，滿足下一代電源的要求，例如6 kW AI服務器電源系統。此外，PowerPAK SO-8S封裝具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可實現高達144 A的持續漏極電流，從而提高功率密度，同時提供強大的SOA能力。 SiRS5700DP非常適合同步整流、DC/DC轉換、熱插拔開關和OR-ing功能。典型應用包括服務器、邊緣計算、超級計算機和數據存儲；通信電源；太陽能逆變器；電機驅動和電動工具；以及電池管理系統。MOSFET符合RoHS標準且無鹵素，經過100 % Rg和UIS測試，符合IPC-9701標準，可實現更加可靠的溫度循環。器件的標準尺寸為6 mm × 5 mm，完全兼容PowerPAK SO-8封裝。 SiRS5700DP現可提供樣品并已實現量產。關于訂貨周期信息，請聯系您當地的銷售辦事處。 |
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