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    碳化硅MOS電壓2000V內阻98mΩ/ASC30N2000MT4PB
    


    
    
    
發布時間：2024-11-23 10:30    
發布者：Eways-SiC

    


    

    


    關鍵詞：
    光伏逆變    , 儲能系統    , DC DC    , SVG    , 英飛凌
    


    
 

    

    
ASC30N2000MT4PB碳化硅MOS，電壓2000V內阻98mΩ、Drain Current(continuous)at Tc=25℃ 30 A（DataSheet：





ASC30N2000MT4PB.pdf

(1015.33 KB)




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Eways-SiC 發表于
2025-2-27 17:27:31

    

    

    

    
碳化硅MOSFET驅動設計合訂本 https://pan.baidu.com/s/1IGOLO2oMVZ1wYF80zFcc9g提取碼uspc   
    



    

    

    


    

    

    

    




    

    

    

    



Eways-SiC 發表于
2025-4-1 17:31:05

    

    

    

    
基于雙脈沖實驗的Sic與IGBT特性對比研究  https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw   
    



    

    

    


    

    

    

    




    

    

    


    




    

    





    

    

    

    

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