電源新技術，TI推出具有集成驅動器的GaN FET: LMG3100R044VBER/LMG3427R030RQZR
發布時間：2024-12-14 18:12
發布者：Mindy—mjd
|
本篇文章將要介紹： LMG3100R044VBER 一款具有集成驅動器的 100V 4.4mΩ GaN FET LMG2100R026VBNR 一款100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級 LMG3427R030RQZR 一款具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3526R030RQSR 一款具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30mΩ GaN FET 1、LMG3100R044VBER 器件是一款具有集成驅動器的 100V 連續、120V 脈沖、126A 氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含一個由高頻 GaN FET 驅動器驅動的 100V GaN FET。LMG3100 包含一個高側電平轉換器和自舉電路，因此兩個 LMG3100 器件可用于形成半橋，而無需額外的電平轉換器。 特性： 集成了 1.7mΩ GaN FET 和驅動器 100V 連續 120V 脈沖式電壓額定值 集成了高側電平轉換和自舉 兩個 LMG3100 可構成一個半橋 無需外部電平轉換器 5V 外部輔助電源 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平 高壓擺率開關，低振鈴 柵極驅動器支持高達 10MHz 的開關頻率 內部自舉電源電壓鉗位，可防止 GaN FET 過驅動 電源軌欠壓鎖定保護 低功耗 封裝經過優化，便于 PCB 布局 外露式頂部 QFN 封裝，實現頂面散熱 底部大型外露焊盤，實現底面散熱 2、明佳達 LMG2100R026VBNR 器件是一款 93V 連續、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 GaN FET 組成，由一個采用半橋配置的高頻 GaN FET 驅動器驅動。 特性： 集成半橋 GaN FET 和驅動器 93V 連續，100V 脈沖額定電壓 封裝經過優化，便于 PCB 布局 高轉換速率開關，低振鈴 5V 外部偏置電源 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平 柵極驅動器能夠實現高達 10MHz 的開關頻率 出色的傳播延遲（典型值為 33ns）和匹配性（典型值為 2ns） 內部自舉電源電壓箝位，以防止 GaN FET 過驅 用于鎖定保護的電源軌欠壓 低功耗 外露頂部 QFN 封裝，用于頂部冷卻 用于底部冷卻的大型 GND 焊盤 3、LMG3427R030RQZR 器件是一款具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 600V 30mΩ GaN FET。應用包括： • 開關模式電源轉換器 • 商戶網絡和服務器 PSU • 商用電信整流器 • 太陽能逆變器和工業電機驅動器 • 不間斷電源 規格： 開關類型：通用 輸出數：1 比率 - 輸入:輸出：1：1 輸出配置：高端 輸出類型：P 通道 接口：邏輯，PWM 電壓 - 負載：- 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：7.5V ~ 18V 電流 - 輸出（最大值）：- 導通電阻（典型值）：26 毫歐 輸入類型：CMOS 特性：PWM 輸入 故障保護：過流，短路，UVLO 工作溫度：-40°C ~ 125°C 安裝類型：表面貼裝型 供應商器件封裝：54-VQFN（12x12） 4、LMG3526R030RQSR 器件是一款具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的 650V 30mΩ GaN FET，適用于開關模式電源轉換器，可讓設計人員實現更高水平的功率密度和效率。 特性： 具有集成柵極驅動器的 650V GaN-on-Si FET 集成高精度柵極偏置電壓 200V/ns FET 釋抑 23.6MHz 開關頻率 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優化開關性能和緩解 EMI 在 7.5V 至 18V 電源下工作 強大的保護 響應時間少于 100ns 的逐周期過流和鎖存短路保護 硬開關時可承受 720V 浪涌 針對內部過熱和 UVLO 監控的自我保護 高級電源管理 數字溫度 PWM 輸出 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開，可實現更低的電源環路電感 有助于實現軟開關轉換器的零電壓檢測功能 注：本文部分內容與圖片來源于網絡，版權歸原作者所有。如有侵權，請聯系刪除！ |
網友評論