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    提升高瞬態汽車應用的速度和效率

    發布時間:2025-3-10 18:25    發布者:eechina
    關鍵詞: 高瞬態 , 瞬變 , 耦合電感
    作者:Jon Wallace,高級總監
    Issac Siavashani,首席工程師
    Alexandr Ikriannikov,研究員
    ADI公司

    問題
    隨著電流擺率和效率要求不斷提高,ADI專利耦合電感如何增強汽車應用中多相穩壓器的性能?



    回答
    為了解決汽車應用中日益提高的電流需求和快速瞬變所帶來的挑戰,ADI專門設計了耦合電感,并獲得了專利。理想情況下,為了獲得高效率,需要較大電感值和較小電流紋波,但為了實現快速瞬變,又需要較小電感值。耦合電感利用出色的耦合機制,使其在穩態下表現為一個大電感,從而有效地降低電流紋波。同時,耦合電感在瞬態事件中的電感值較小,且導通較快。這有便于縮小應用尺寸,同時保持高效率,這對于支持1 V以下的負載電壓至關重要。此外,其設計有助于加快響應時間,使穩壓器能夠在不影響性能的情況下管理劇烈的瞬態負載。通過優化電感值,這些耦合電感有助于為ADAS和其他大電流應用中的先進半導體工藝實現所需的必要電壓容差、高效率和瞬態規格。

    簡介

    大電流、低電壓應用經常采用多相降壓轉換器拓撲來降低電壓。這種多相降壓轉換器可以利用傳統的分立電感(DL,如圖1a所示),或利用耦合電感(CL,如圖1b所示)。如果是CL,繞組為磁耦合,具有消除電流紋波的優勢1-6。

    汽車ADAS應用面臨的挑戰是,如何將GPU或ASIC供電軌嚴格控制在0.4 V至1 V范圍內,尤其是在快速瞬變條件下。負載瞬態通常會導致所有相位將開關節點VX拉高至VIN,因此每相中的電感電流以一定的擺率(式1)逐漸上升,其中VIN為輸入電壓,Vo為輸出電壓,L為電感值。卸載瞬態通常會導致所有相位拉低至GND,并且電感電流逐漸下降(式2)。已知低輸出電壓值VOUT<1 V,并假設輸入電壓典型值至少為5 V,比較式1和式2很容易看出,卸載瞬態是主要問題,這是因為使電流逐漸下降的電壓非常小。


    圖1.多相降壓轉換器,采用(a)分立電感或(b)耦合電感



    簡單的解決辦法是增加COUT中陶瓷輸出電容的數量。然而,這種方法的體積過大、成本過高,有些不切實際。在汽車行業,穩壓器往往配置為以相對較高的頻率(FS,通常超過2 MHz)進行開關。這與云應用或工業應用中的穩壓器形成對比。由于特別的電磁干擾(EMI)要求,汽車環境中需要更高的開關頻率。雖然高頻有助于減小穩壓器中的電感值,但仍然需要進一步改善。

    由式3可求出帶DL的常規降壓轉換器各相的電流紋波,其中占空比D = VOUT/VIN,VOUT為輸出電壓,VIN為輸入電壓,L為電感值,FS為開關頻率。



    用漏感為LK且互感為LM的CL代替DL,則CL中的電流紋波可表示為式46。品質因數(FOM)表示為式5,其中NPH為耦合相數,ρ為耦合系數(式6),j為運行指數,僅定義占空比的適用區間(式7)。CL的參數有漏感LK和互感L M。



    對于特定的CL設計,與采用分立電感L的常規降壓轉換器相比,式4和式5中的FOM含義可以解釋為電流紋波消除所涉及的額外乘數。與具有任意電流紋波和瞬態性能的任何系統相比,業界進一步推廣和擴展了FOM的定義及其含義11。建議使用歸一化瞬態擺率 (期望較高) 與歸一化電流紋波 (期望較低) 的比率 (式8)。對于一些采用分立電感的基準轉換器,瞬態擺率和電流紋波通過相關數字進行歸一化 (因此任何采用DL的系統仍會導致FOM = 1)。SRTR和ΔIL是所選設計或技術在穩態下的瞬態電流擺率和電流紋波,而SRTR_DL和ΔILDL是同樣的參數,但用于基準DL設計。
    由于瞬態和穩態下分立電感的電流擺率相同,式8可以簡化為式9。這樣一來就完全避免了實際提及DL設計,但基準測試的思想仍然存在。



    請注意,對CL使用廣義FOM定義(式9)將得到式5,因此新定義是向后兼容的,而且還可用于電流紋波和瞬態擺率與DL公式存在顯著差異的技術(例如TLVR9)。

    CL設計和考慮因素

    應用指標為VIN = 5 V、VOUT = 0.8 V、FS = 2.1 MHz、NPH = 8。開始時,選擇DL = 32 nH來支持快速瞬變,而每個電感占用4.2 mm × 4.2 mm × 4.2 mm。理想情況下,這些電感將用8相耦合電感(CL)代替。然而,h = 4 mm的低高度要求帶來了難題,因為在這種高度限制下,8相耦合電感器會變得過于細長,難以生產,而且還會更容易受到電路板彎曲變形的影響。因此,我們為CL選擇了4相構建模塊,這也使得元件的放置和布局更加靈活。我們的目標是獲得更快的瞬變,并且已知CL值的紋波將小于起始DL值的紋波。因此,我們采用了近期推出的Notch CL (NCL)結構來盡可能減小漏感LK7,8,10。我們設計了NCL0804,LK約為17 nH,OCL = LM + LK = 100 nH,NPH = 4,相位間距為6.9 mm/相,高度h = 4.0 mm(最大值)(圖2)。


    圖2.開發的NCL0804-4-R17(h = 4 mm(最大值))

    使用FOM圖10可以有效比較不同的設計。任何DL設計都會出現FOM = 1,這是因為在穩態和瞬態下,電流擺率的比例為1:1。給定尺寸下,耦合電感的NCL結構會使LM/LK比率最大化,因此通常能夠產生最高FOM9。FOM比較如圖3所示;在目標輸出電壓附近,我們開發的NCL比DL好約4.4倍。

    表1.四相構建模塊不同磁元件方案的比較
    電感高度:mm/相對值效率,相對值電流紋波,相對值瞬態,相對值瞬態/紋波相對優勢(公式9)11
    NCL0804-4最大4.0/1倍正常1倍1倍4.4倍
    DL = 32  nH最大4.4/大1.1倍大2.35倍慢1.9倍1倍
    DL = 100  nH最大6.4/大1.6倍正常小1.33倍慢5.9倍1倍

    圖3.相對于輸出電壓VOUT,開發的NCL = 4× 17 nH和理論NCL = 8× 17 nH的FOM與任何DL的FOM相比較
    (VIN = 5 V)

    相應的電流紋波比較如圖4和表1所示。對電流紋波和瞬態擺率的不同取舍,讓DL值的選擇范圍非常寬,但我們開發的NCL始終有4.4倍的優勢。NCL的電流紋波比DL = 32 nH的紋波小2.35倍,同時NCL的瞬態擺率要快1.88倍。2.35×1.88約等于4.4,與預測的FOM = 4.4相匹配。使用DL = 100 nH也可以降低電流紋波,這使其電流紋波比NCL的電流紋波小1.33倍,但NCL的瞬態擺率會快5.88倍,因此NCL相對于任何DL的優勢仍然是5.88/1.33,即約等于4.4倍(NCL的FOM = 4.4)。


    圖4.相對于輸出電壓VOUT,比較開發的NCL = 4 × 17 nH和理論NCL = 8 × 17 nH的電流紋波與DL = 32 nH和DL = 100 nH的電流紋波

    觀察圖3中相同NCL的理論FOM,但考慮NPH = 8是否可制造的情況,我們看到NCL相對于DL的性能優勢將從4.4倍擴大到5.8倍,而且在VOUT較低時,相對的優勢差距更大。

    展望未來,我們或許應該考慮NCL的不同設計。一種可能性是將相位排成兩排,以保持鐵氧體磁芯的長寬比較低,使其有利于制造。在這種情況下,NCL可以放在PCB的底部,直接位于GPU的陶瓷旁路上方,并且功率級圍繞在NCL的周邊。此方法類似于垂直供電(VPD)布置,有可能會在瞬態和紋波之間取得更好的平衡,也就是可以有效提高瞬態效率。然而,必須注意的是,這樣的改動將會顯著改變現有的設計和布局。未來將取決于客戶的偏好,考慮是否采用這種方法。

    實驗結果


    圖5.穩壓器四相構建模塊,電感尺寸可為(a) DL = 100 nH(h = 6.4 mm(最大值))和(b) NCL0804-4(h = 4.0 mm(最大值))

    用NCL0804-4替代DL = 32 nH電感可以提高效率,如圖6所示。這種改善主要是因為電流紋波大幅降低(圖4),從而導致繞組、功率級和走線中的電流有效值降低。此外這還有助于降低交流損耗,如圖6所示。同時,17 nH/相的NCL(圖5b)在瞬態下的電流擺率要快約1.9倍,反饋環路中的相位裕量一般也會得到改善。降低DL = 100 nH的紋波(圖5a)可重新提高效率(圖6),但這種DL的高度明顯高于允許值(h = 4 mm),同時也比我們開發的NCL慢約5.9倍,并且會大大影響所需輸出電容的數量。正如基于FOM的估計,結果證實了NCL相對于分立電感方法的不同權衡方案具有根本的性能優勢。


    圖6.DL = 32 nH (h = 4.4 mm)、DL = 100 nH (h = 6.4 mm)和NCL = 4× 17 nH (h = 4.0 mm)的效率比較:5 V至0.8 V,四相。

    結論

    綜上所述,我們開發了一種采用NCL結構的新型耦合電感,以優化輸出電壓非常低和負載瞬態指標變化劇烈的應用性能。該CL也是為了適應汽車設計的低高度要求而開發的。選擇NCL結構是為了盡可能地減少泄漏。與常規分立電感方案相比,它的瞬態/紋波性能提高了4倍以上。

    若分立電感(DL)方案的效率要與所開發的NCL相同,高度須為后者的1.6倍(DL = 100 nH)。然而,這種替代方案的瞬態速度會低5.9倍,從而嚴重影響輸出電容的尺寸和成本。表1的比較結果凸顯了NCL0804-4在高度、效率、電流紋波和瞬態速度方面的優勢。

    參考文獻
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    9        Amin Fard、Satya Naidu、Horthense Tamdem和Behzad Vafakhah。 “Trans-inductors Versus Discrete Inductors in Multiphase Voltage Regulators: An Analytical and Experimental Comparative Study”。IEEE應用電源電子會議,2023年3月。
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    11        Alexandr Ikriannikov和Brad Xiao!癎eneralized FOM for Multiphase Converters with Inductors”。2023年IEEE能源轉換大會暨展覽會,2023年10月。

    作者簡介
    Jon Wallace擁有普渡大學計算機和電氣工程學士學位。Jon已在汽車行業工作了30年。加入ADI公司之前,Jon曾在TRW Automotive, Inc.擔任軟件和硬件工程師11年,負責開發安全電子設備的硬件和軟件。2005年,他加入Maxim(現為ADI公司的一部分),擔任汽車電源及相關產品的產品定義師。他為車輛總線通信和軟件算法領域發表了25項美國專利。迄今為止,他所定義的產品已創造超過8億美元的收入。

    Issac Siavashani是ADI公司汽車業務團隊的高級應用工程師。他擁有舊金山州立大學嵌入式系統和電氣工程碩士學位。他于2010年加入Maxim(現為ADI公司的一部分),專注于英特爾(消費電子)多相降壓管理IC的定義和開發工作。2017年,Issac加入汽車業務團隊。目前,他主要負責低噪聲應用的大電流多相系統和雷達PIMIC研發工作。

    Alexandr Ikriannikov是ADI公司通信和云電源團隊的研究員。他于2000年獲得加州理工學院電氣工程博士學位,期間由Slobodan Ćuk博士負責教授電力電子學知識。他開展了多個研究生項目,包括AC/DC應用的功率因數校正、適用于火星探測器的15 V至400 V DC/DC轉換器等。研究生畢業后,他加入Power Ten,重新設計和優化了大功率AC/DC電源,然后在2001年加入Volterra Semiconductor,專注于低壓大電流應用和耦合電感器。Volterra于2013年被Maxim Integrated收購,而Maxim Integrated現在是ADI公司的一部分。目前,Alexandr是IEEE的高級會員。他擁有70多項美國專利,還有多項專利正在申請中,此外他還曾撰寫并發表了多篇電力電子技術論文。

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