三星沖刺1nm工藝硬剛臺積電，2029年量產，劍指AI芯片爆發
發布時間：2025-4-10 19:38
發布者：eechina
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據《首爾經濟日報》報道，三星電子近日宣布啟動“夢想制程（꿈의 반도체 공정）”1nm芯片研發，預計2029年后實現量產，旨在通過顛覆性技術突破追趕臺積電（TSMC）。 三星電子正在為下一代半導體技術發起總攻，這標志著韓國巨頭正在向比2nm更先進的制程技術邁進。盡管當前在3nm、2nm節點落后于臺積電，但三星計劃通過顛覆性技術路線在2029年后實現1nm工藝量產，目標直指AI芯片市場的爆發式增長需求。 一、打破設計框架：1納米節點的技術革新 1nm節點需要徹底突破現有芯片設計框架，涉及高數值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）等下一代設備的全面導入。 三星內部已將部分參與2nm研發的工程師調任至1nm項目組，顯示出對該項目的戰略重視。 目前三星公開的最新制程路線圖顯示，2027年計劃量產的1.4nm工藝仍是其最先進節點，而臺積電已于去年宣布將在2026年下半年啟動1.6nm工藝量產，技術代差仍客觀存在。 二、制程良率差距拉大，三星加速技術突圍 三星在3nm和2nm工藝上與臺積電存在技術差距，臺積電的2nm工藝良率已經超過60%，而三星的良率相對較低。 三星電子副會長李在镕上月特別強調“繼承技術優先傳統”，要求管理層“用世界不存在的技術創造未來”。 這一表態被解讀為對制程競賽受挫的危機應對，也是推動1nm提前研發的直接動因。 此外，三星還在加大研發投入，計劃引入高數值孔徑EUV光刻設備，以期在1nm制程上實現技術突破，從而在未來的AI芯片市場中重新確立領先地位。 三、AI芯片技術競賽下技術代差成新籌碼 隨著AI訓練算力需求每6個月翻倍，芯片制程的突破成為決定性因素。 臺積電通過新增1.6nm節點搶占過渡期市場，而三星選擇直接跨越至1nm，試圖通過技術代差實現彎道超車。 三星代工事業部新任社長韓進滿近期密集拜訪DeepX等本土AI芯片初創企業，顯示其正加速構建產業協同。 結語：制程革命能否重塑競爭格局？ 從當前3nm節點的良率差距，到2nm節點可能擴大的技術代差，三星的1nm戰略既是技術追趕，也是路徑重塑。 高數值孔徑EUV設備的引入將使單片晶圓成本顯著增加，這種“燒錢式”技術競賽可能重塑全球代工市場格局。 對于AI芯片開發商而言，制程節點的突破不僅是性能提升，更是決定未來算力生態的關鍵變量。 當臺積電在2026年啟動1.6nm量產時，三星能否在2029年用1nm工藝扭轉戰局，這場技術賽跑的勝負或將在未來三年見分曉。 來源：首爾經濟日報、Samsung Newsroom |
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